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H5PS2562GFR-S5C 发布时间 时间:2025/9/2 8:19:10 查看 阅读:10

H5PS2562GFR-S5C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)系列。该芯片采用3D堆叠封装技术,通过硅通孔(TSV)技术实现多层存储芯片的垂直互连,从而在较小的封装体积内实现极高的数据带宽。这款存储器主要用于高端图形处理、人工智能加速、高性能计算(HPC)和数据中心等领域,以满足对带宽和性能有极高要求的应用场景。

参数

容量:2GB(Gigabytes)
  类型:DRAM(HBM2 - High Bandwidth Memory 2)
  接口类型:HBM2
  工作电压:1.2V
  最大工作频率:2000MHz
  数据速率:2.4Gbps/pin
  封装类型:3D TSV(Through Silicon Via)堆叠
  封装尺寸:约10mm x 10mm
  引脚数量:1024(BGA封装)
  温度范围:商业级(0°C 至 +85°C)

特性

H5PS2562GFR-S5C 具备多项先进特性,首先是其高带宽特性,通过HBM2架构和TSV技术,实现超过300GB/s的带宽,远高于传统GDDR5或DDR4内存。其次是其紧凑的封装设计,适合在空间受限的设备中使用,如GPU、AI加速卡和网络交换芯片等。此外,该芯片功耗相对较低,符合现代高性能计算设备对能效的需求。该芯片还具备良好的热管理和信号完整性设计,支持在高频率下稳定运行。其多层堆叠结构提高了存储密度,同时减少了信号延迟,提升了整体系统性能。
  另外,H5PS2562GFR-S5C支持多通道访问,每个HBM2模块包含多个独立的通道(通常为8个),从而实现并行数据传输,提高吞吐量。该芯片还支持错误检测和部分错误校正功能,提高了数据完整性和系统稳定性。其BGA封装具有良好的机械稳定性和热传导性能,适用于高密度PCB设计和复杂散热环境。

应用

H5PS2562GFR-S5C 主要用于需要高带宽内存支持的高性能计算设备和图形处理系统中。常见应用包括高端显卡(如NVIDIA Tesla、AMD Radeon Instinct等)、AI加速器(如用于深度学习和推理的硬件平台)、高性能计算服务器、网络交换设备、FPGA开发板以及专业图形工作站。由于其卓越的带宽性能,该芯片也广泛应用于科学计算、图像识别、虚拟现实(VR)、增强现实(AR)和实时渲染等前沿技术领域。此外,在数据中心的AI推理和训练系统中,H5PS2562GFR-S5C也被用于提升GPU和加速器的内存性能,满足大规模并行计算需求。

替代型号

H5PS2562GFR-S6C、H5PS2562GFR-S4C、HBM2系列其他容量型号(如4GB型号H5PS5122GFR-S6C)、以及来自其他厂商的HBM2产品如Samsung的K3PEF2FBAB-AGC1或Micron的HBM2系列芯片。

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