容量：1Gbit
　　组织结构：x8
　　接口类型：DDR3 SDRAM
　　电压：1.35V / 1.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：FBGA
　　最大时钟频率：800MHz（等效于1600Mbps）
　　数据预取：8n
　　刷新周期：64ms

H5PS1G83KFR-S6I DDR3 SDRAM芯片具备多项先进的技术特性，确保其在高性能应用中的稳定性与效率。首先，该芯片采用了1.35V和1.5V双电压供电设计，支持低功耗模式，显著降低功耗，适合需要节能的系统应用。
　　其次，该芯片支持8n预取技术，提高了数据传输效率，并具备自动刷新、自刷新和温度补偿刷新等多种刷新机制，以确保数据的完整性和可靠性。
　　其FBGA封装形式不仅提供了良好的电气性能，还具备较强的热稳定性和机械稳定性，适合工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）。
　　此外，H5PS1G83KFR-S6I 的最高时钟频率可达800MHz，等效于1600Mbps的数据传输速率，使其能够满足对数据处理速度有高要求的应用场景。
　　该芯片还支持多种突发长度模式和可编程延迟设置，允许设计人员根据具体需求进行优化配置，以实现最佳性能。

H5PS1G1G83KFR-S6I 主要应用于高性能嵌入式系统、网络设备、服务器、图形处理单元（GPU）、工业自动化设备、高端消费电子产品（如游戏主机和高端笔记本电脑）等需要大容量内存和高速数据传输的场合。该芯片的低功耗设计和高性能特性使其在需要长时间稳定运行的系统中表现出色，尤其是在需要处理大量数据的场景中具有显著优势。

H5PS1G83EFR-S6C, H5PS1G83FFR-S6C, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B2G324BB-FGC16