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H5PS1G83JFR-Y5I 发布时间 时间:2025/9/2 7:51:01 查看 阅读:6

H5PS1G83JFR-Y5I 是一款由SK Hynix(海力士)制造的高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存(HBM,High Bandwidth Memory)系列。这款存储器专为需要高数据传输速率和大容量内存的应用而设计,常见于高端显卡、人工智能加速器、网络设备和高性能计算系统。H5PS1G83JFR-Y5I 采用3D堆叠封装技术,通过TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术实现多层DRAM芯片的互联,从而显著提升带宽并减小物理尺寸。

参数

容量:1GB (8Gb)
  类型:HBM2
  数据速率:1.8 Gbps
  工作电压:1.8V
  接口:JEDEC标准接口
  封装类型:BGA(球栅阵列封装)
  引脚数:1024-ball
  温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5PS1G83JFR-Y5I 以其高带宽和紧凑的封装形式在高性能计算领域占据重要地位。
  首先,这款芯片的数据传输速率达到1.8 Gbps,使其在图形处理、AI推理和科学计算等对内存带宽要求极高的场景中表现出色。相比传统的GDDR5或DDR4内存,HBM2在带宽密度和能效方面有显著优势。
  其次,H5PS1G83JFR-Y5I 采用3D堆叠技术,将多个DRAM芯片通过TSV互连,缩短了信号路径长度,降低了延迟并提高了信号完整性。这种设计也使得内存模块的物理体积更小,适合空间受限的应用,如移动设备和嵌入式系统。
  此外,H5PS1G83JFR-Y5I 支持宽温范围操作(-40°C至+85°C),适应工业级和车规级应用环境,确保在各种极端条件下的稳定运行。
  该芯片的封装形式为1024-ball BGA,提供良好的电气性能和热管理能力,适用于高密度PCB布局和高功耗系统。
  最后,H5PS1G83JFR-Y5I 与JEDEC标准兼容,简化了系统设计和集成流程,提高了兼容性和可替换性。

应用

H5PS1G83JFR-Y5I 主要应用于需要高带宽内存的高性能计算设备和嵌入式系统。
  其典型应用包括高端显卡和GPU加速卡,例如NVIDIA和AMD的图形处理器,这些设备依赖HBM2内存来满足复杂图形渲染和计算任务的高带宽需求。
  此外,该芯片也广泛用于人工智能和机器学习加速器,如FPGA和ASIC芯片,为深度学习模型的训练和推理提供高速数据访问。
  在通信和网络设备中,H5PS1G83JFR-Y5I 适用于高速缓存和数据包处理,提升路由器和交换机的吞吐能力。
  它还被用于高性能计算(HPC)系统、服务器内存扩展模块和工业级嵌入式系统,如自动驾驶汽车的计算平台和边缘计算设备。
  由于其宽温范围和高可靠性,H5PS1G83JFR-Y5I 也适用于车载信息娱乐系统(IVI)、先进驾驶辅助系统(ADAS)以及工业自动化设备。

替代型号

H5PS2G83EFR-Y5C, H5PS1G83JFR-Y5C, H5PS1G83AFR-Y5C

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