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H5PS1G63EFR-Y5I-C 发布时间 时间:2025/9/2 5:11:04 查看 阅读:7

H5PS1G63EFR-Y5I-C 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高性能、低功耗的移动LPDDR5 SDRAM(同步动态随机存取存储器)芯片,主要面向高端移动设备、平板电脑、嵌入式系统等应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺和LPDDR5接口标准,具备高数据传输速率、低功耗和高集成度的特点,适用于对内存带宽和能效要求较高的现代电子设备。

参数

容量:1Gb(128MB)
  组织结构:x64位
  接口:LPDDR5
  工作电压:VDDQ/VDD = 0.5V / 1.1V(典型值)
  最大数据速率:6400Mbps/pin
  封装类型:FBGA(130-ball)
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据预取:16n预取架构
  封装尺寸:8mm x 10mm x 0.8mm
  时钟频率:高达3200MHz

特性

H5PS1G63EFR-Y5I-C具有多项先进的技术特性,确保其在各种高性能应用场景中表现出色。首先,该芯片采用了LPDDR5标准,支持高达6400Mbps/pin的数据传输速率,显著提升了内存带宽,满足了高吞吐量应用的需求。其次,该芯片具备低功耗设计,通过动态电压调节(DVFS)和多种节能模式(如深度掉电模式、自刷新模式等),有效降低了功耗,延长了设备的电池续航时间。
  此外,H5PS1G63EFR-Y5I-C支持命令总线训练(Command Bus Training, CBT)、写入均衡(Write Equalization)和读取均衡(Read/Write Leveling)等先进功能,以提高信号完整性和时序稳定性,确保在高速运行时的数据可靠性。其封装设计采用了小型化的FBGA封装,尺寸仅为8mm x 10mm,适用于空间受限的移动设备设计。
  在可靠性方面,该芯片具备较强的抗干扰能力,并支持多种错误检测和纠正机制,确保数据在高负载和复杂电磁环境下的稳定性。此外,其支持的温度范围较广(-40°C至+85°C),适用于工业级和汽车级应用场合。

应用

H5PS1G63EFR-Y5I-C主要应用于高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及工业自动化设备等领域。由于其高带宽、低功耗和紧凑封装的特性,该芯片特别适合用于需要处理大量图形、视频和AI任务的设备,如智能手机、AR/VR头显设备、无人机和边缘计算设备等。
  在智能手机中,该芯片可作为主内存(RAM)使用,显著提升多任务处理能力、图形渲染速度和整体系统响应速度。在嵌入式系统和工业设备中,它可用于实现高速数据缓存和实时数据处理。此外,H5PS1G63EFR-Y5I-C也可用于高端消费电子产品和车载电子设备,提供稳定可靠的内存支持。

替代型号

H5PS2G63EFR-Y5I-C(容量更大的2Gb LPDDR5)、H5PS1G83EFR-Y5C-C(同系列不同封装或电压版本)、MT51256A256A25E(美光LPDDR5兼容型号)

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