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H5PS1G63EFR-20L 发布时间 时间:2025/9/2 11:19:34 查看 阅读:10

H5PS1G63EFR-20L 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于LPDDR3 SDRAM类别,专为低功耗和高带宽需求的应用而设计,常见于移动设备、嵌入式系统和高性能计算设备中。

参数

类型:DRAM
  子类型:LPDDR3 SDRAM
  容量:1Gbit(128MB x 8)
  封装类型:FBGA
  引脚数:134
  工作电压:1.2V ~ 1.8V(核心电压)
  数据速率:1600Mbps
  时钟频率:800MHz
  数据宽度:x32
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5PS1G63EFR-20L 采用先进的制造工艺,具有低功耗和高性能的特点,适用于需要高数据吞吐量的便携式设备。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不访问数据时保持存储内容,从而降低功耗。其高速数据传输能力使其在图形处理、实时数据处理和高性能计算应用中表现出色。此外,该芯片具有良好的热稳定性和电气稳定性,能够在恶劣环境下可靠运行。
  该DRAM芯片还支持多种低功耗模式,包括预充电功率下降模式和深度掉电模式,以延长设备的电池寿命。其封装形式为134 FBGA,尺寸小巧,便于在空间受限的系统中使用。H5PS1G63EFR-20L 的时序控制经过优化,支持精确的数据传输和接收,适用于需要高性能内存支持的应用场景。

应用

H5PS1G63EFR-20L 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、工业控制设备和嵌入式系统。其高带宽和低功耗特性使其成为需要大量数据处理能力的移动和嵌入式应用的理想选择。此外,该芯片也适用于汽车电子系统、智能穿戴设备和物联网(IoT)设备中的内存扩展需求。在需要高性能与能效兼顾的场景中,例如图形渲染、多任务处理和实时视频流传输,H5PS1G63EFR-20L 都能提供稳定可靠的内存支持。

替代型号

H5PS1G63ECR-20L, H5PS1G63EFR-25L, H5PS1G63ECR-25L

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