H5PS1G1631EFR-S5C 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的移动LPDDR4 SDRAM(低功耗双倍数据速率4代同步动态随机存储器)芯片。该型号主要应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗和性能有较高要求的电子设备中。这款内存芯片的容量为1Gb(Gigabit),采用x16的数据总线宽度,工作电压为1.1V,具有较高的数据传输速率和稳定性。
容量:1Gb
数据总线宽度:x16
电压:1.1V
封装类型:FBGA
封装尺寸:134-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大数据速率:3200Mbps
时钟频率:1600MHz
封装尺寸:134-ball
组织结构:1 banks x 16
H5PS1G1631EFR-S5C 作为一款 LPDDR4 SDRAM 芯片,具有多项优异特性。其核心优势之一是低功耗设计,适用于对电池续航能力要求较高的移动设备。该芯片支持多种低功耗模式,如自刷新模式(Self-Refresh Mode)、深度掉电模式(Deep Power-Down Mode)和预充电功率下降模式(Precharge Power-Down Mode),有效降低系统整体功耗。
此外,H5PS1G1631EFR-S5C 支持高达3200Mbps的数据传输速率,显著提升了内存访问速度,满足了现代高性能处理器和图形处理器的需求。其采用1.1V的核心电压,相比前代LPDDR3内存芯片,在电压和功耗方面有了明显优化。
该芯片采用134-ball FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和消费级应用环境。
H5PS1G1631EFR-S5C 还支持多种功能,如数据掩码(Data Mask)、写入校验(Write Calibration)、读取校准(Read Calibration)和ZQ校准(Impedance Calibration),以确保数据传输的稳定性和可靠性。
H5PS1G1631EFR-S5C 广泛应用于各类高性能、低功耗的电子设备中,尤其是在移动设备领域。该芯片常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及嵌入式系统,作为主存储器(RAM)为应用处理器提供高速数据访问能力。此外,该芯片也适用于需要高性能内存支持的图形处理设备、车载信息娱乐系统(IVI)、智能电视、工业控制系统和物联网(IoT)设备。
在智能手机中,该芯片为应用处理器提供高速缓存,支持多任务处理、图形渲染和高清视频播放等功能。在嵌入式系统中,它能够为实时操作系统和高性能计算应用提供稳定的内存支持。由于其低功耗特性,H5PS1G1631EFR-S5C 也非常适合用于需要长时间运行且对电池寿命敏感的设备,如便携式医疗设备和智能穿戴设备。
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