容量：2Gbit
　　类型：GDDR5 SDRAM
　　组织结构：x16
　　电压：1.5V（VDD）/ 1.35V（VDDQ）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：FBGA
　　数据传输速率：5.0 Gbps
　　封装尺寸：8mm x 13mm
　　时钟频率：1250MHz

H5P5162GFR-S5C 具备多种先进的技术特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，其GDDR5架构提供了高带宽和低延迟的存储访问能力，满足了图形处理和并行计算对存储速度的严苛需求。其次，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，有助于降低功耗，延长数据保存时间。此外，H5P5162GFR-S5C 还具备温度补偿自刷新（TCSR）和动态电压调整（DVS）功能，可根据环境温度和系统需求调整电压，进一步优化功耗和稳定性。
　　在电气性能方面，该芯片采用了双倍数据速率（DDR）技术，在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而显著提高了数据吞吐能力。其8-bit预取架构和差分时钟信号设计也有效提升了信号完整性和数据传输的稳定性。H5P5162GFR-S5C 还支持多种操作模式，包括突发模式、自动预充电模式和深度掉电模式，以适应不同的系统应用场景。
　　封装方面，该芯片采用小型化的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局设计。此外，该芯片符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

H5P5162GFR-S5C 主要应用于需要高性能图形处理和数据存储的电子设备中，例如高端显卡、游戏主机（如PlayStation、Xbox）、工业计算机、嵌入式视觉系统、AI加速卡以及高性能计算（HPC）设备。由于其高带宽和低延迟特性，该芯片也非常适合用于需要大量数据并行处理的应用场景，如虚拟现实（VR）、增强现实（AR）、深度学习和实时图像处理等领域。

H5P5162GFR-S5C的替代型号包括H5P5162GFR-S6C、H5P5162GFR-S7C、H5P5162GFR-S8C以及美光（Micron）的GDDR5系列产品，如MT516A256A16A25A。