时间：2025/8/7 9:16:56
阅读：24
H5N3008P是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于早期的存储器产品系列之一。这款芯片具有300万位（即3M位）的存储容量，采用x8的组织方式，即每次传输8位数据。H5N3008P主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及早期的计算机系统中，为需要可靠存储解决方案的应用提供支持。该芯片采用标准的TSOP（薄型小外形封装）封装形式，具备良好的稳定性和耐用性，适用于各种工业环境。
容量：3M位
组织方式：x8
封装类型：TSOP
电压：3.3V
访问时间：80ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：54引脚
H5N3008P具有多项显著的技术特性，使其在早期的DRAM市场中占据一席之地。首先，其3M位的存储容量在当时能够满足许多嵌入式系统和小型计算机的需求，尤其是在资源受限的环境中，提供了合理的存储密度。该芯片采用x8的组织方式，意味着其数据总线宽度为8位，适合于需要较低带宽但对成本和空间敏感的应用场景。
其次，H5N3008P的工作电压为3.3V，相较于早期的5V器件，功耗更低，有助于减少系统的整体能耗，同时也有利于提高系统的稳定性。其访问时间为80ns，意味着数据的读取速度较快，能够满足当时的主流处理器需求。
H5N3008P广泛应用于多个领域，尤其是在嵌入式系统和早期的计算机系统中。其高可靠性和稳定性使其成为工业控制设备的理想选择，例如自动化生产线、PLC（可编程逻辑控制器）等设备中，用于存储程序和数据。此外，该芯片也常用于早期的个人计算机、工作站以及图形加速卡中，作为主存储器或帧缓冲存储器，支持图形和视频数据的处理。
IS42S16400J-6T、MT48LC16M1A2B4-6A、CY7C1041CV33-10ZSXC、A2VDD16082A、H5TQ2G83BFR
