H5N2005DSTL-E 时间：2025/6/27 11:33:23 阅读：28

H5N2005DSTL-E 是一款由东芝（Toshiba）制造的高可靠性 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力的特点，适用于各种高效能开关应用。其封装形式为 DSTL（DirectFET），这种封装能够显著提高散热性能，并且适合紧凑型设计。
　　这款功率 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及通信设备中的电源管理领域。

参数

最大漏源电压：55V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：4.8mΩ
　　栅极电荷（Qg，典型值）：79nC
　　输入电容（Ciss，典型值）：3800pF
　　反向传输电容（Crss，典型值）：560pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DSTL

特性

H5N2005DSTL-E 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 下仅为 4.8mΩ，有助于减少传导损耗并提升效率。
　　2. 高速开关能力，栅极电荷小，可以实现高频操作，适合开关电源和转换器应用。
　　3. 先进的 DirectFET 封装技术提供卓越的热性能，简化 PCB 设计并降低系统成本。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅工艺生产。
　　5. 内置静电防护功能，增强了器件的鲁棒性，使其更适合苛刻环境下的使用。

应用

H5N2005DSTL-E 可用于多种电力电子应用场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或主开关元件。
　　2. 电池供电设备的负载开关或保护电路。
　　3. 通信基站及服务器等大功率系统的多相电压调节模块（VRM）。
　　4. 工业自动化控制中的电机驱动电路。
　　5. 汽车电子中的电源管理系统。
　　其高效率和小型化特点非常适合需要高性能和高可靠性的现代电子产品设计。