容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：166MHz
　　封装尺寸：54引脚

H5N0201MFDN 是一款具有高性能和高可靠性的动态随机存取存储器芯片，其主要特点包括高速数据访问能力、低功耗设计以及宽电压和温度工作范围。该芯片的时钟频率高达166MHz，使其能够满足对数据处理速度要求较高的应用需求。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并延长数据保持时间。其TSOP封装形式具有良好的散热性能和空间利用率，适合在空间受限的设备中使用。
　　在电压方面，H5N0201MFDN 支持2.3V至3.6V的工作电压范围，使其能够适应不同的电源供应环境，并在低电压条件下依然保持稳定运行。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。
　　这款DRAM芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控芯片和系统平台无缝配合，广泛用于嵌入式系统、工控设备以及消费类电子产品中，提供稳定、高效的内存支持。

H5N0201MFDN 常用于需要中高容量内存支持的电子设备中，如嵌入式控制系统、工业计算机、汽车电子系统、网络设备和消费类电子产品。在工业自动化设备中，它可作为主存用于数据缓存和临时存储，提高系统运行效率。在汽车电子系统中，该芯片可用于车载信息娱乐系统、导航系统以及行车记录仪等设备，确保系统运行的稳定性和响应速度。此外，它也可用于通信设备中，作为缓存存储器以提高数据处理能力和系统性能。

H57V2562GTFP-Y5C, MT48LC16M2A2B4-6A, HY57V281620FTP-Y5