H5MS5132EFR-E3M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片属于高速、低功耗的存储解决方案,广泛用于需要高性能存储的设备,如消费类电子产品、网络设备和工业控制系统中。该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,适用于高密度、小型化设计。
类型:DRAM
容量:16M x 32 位(512MB)
电压:2.3V - 3.6V
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装:54-ball FBGA
访问时间:5.4ns
接口类型:异步
刷新功能:自动刷新和自刷新
封装尺寸:5.4mm x 9.0mm
引脚数量:54
制造厂商:SK Hynix
H5MS5132EFR-E3M 是一款高性能异步DRAM芯片,具备低功耗、高速访问和宽电压工作范围的特点。其异步接口设计使其适用于多种应用场景,无需严格的时钟同步控制,简化了系统设计。芯片支持自动刷新和自刷新模式,有助于在低功耗应用中延长数据保存时间。
该器件采用先进的CMOS工艺制造,确保了高可靠性和稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),使其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。FBGA封装不仅提供了良好的热管理和电气性能,还便于自动化生产和高密度PCB布局。
此外,该芯片具有高容量(512MB),适合用于需要较大缓存或临时存储的应用,如图像处理、嵌入式系统、通信模块和便携式电子设备。
H5MS5132EFR-E3M 常见于需要中等容量高速存储的嵌入式系统中,如网络路由器、数字电视、视频监控设备、工业控制设备和便携式电子产品。由于其低功耗特性和宽温工作范围,也适用于对可靠性要求较高的工业和车载应用。该芯片还可作为高速缓存或帧缓冲器,用于图形处理和多媒体设备。
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