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H5MS5122EFR-J3MR 发布时间 时间:2025/9/1 23:15:51 查看 阅读:10

H5MS5122EFR-J3MR 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一种高性能、低功耗的移动式DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该芯片采用先进的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的集成度和出色的稳定性。H5MS5122EFR-J3MR的容量为4Gb(512MB),工作频率为1600Mbps,支持LPDDR4标准,适用于需要高速数据处理能力的应用场景。

参数

容量:4Gb(512MB)
  类型:LPDDR4 SDRAM
  封装类型:FBGA
  引脚数:200-pin
  工作电压:1.1V
  时钟频率:最高800MHz
  数据速率:1600Mbps
  存储结构:x16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5MS5122EFR-J3MR 采用先进的LPDDR4技术,具备低功耗和高性能的双重优势。其工作电压为1.1V,相比前一代LPDDR3内存,功耗显著降低,适用于对电池续航能力要求较高的移动设备。该芯片支持1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率,提供高速的数据传输能力,满足现代智能设备对多任务处理和大容量缓存的需求。
  此外,H5MS5122EFR-J3MR 采用200-pin FBGA封装,体积小巧,便于在紧凑的主板设计中使用,同时具有良好的散热性能和电气稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛的环境条件,确保设备在不同温度下都能稳定运行。

应用

H5MS5122EFR-J3MR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备以及其他需要高性能、低功耗内存的嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低电压设计,该芯片特别适用于运行复杂操作系统和多任务处理的设备,如Android智能手机、Windows平板电脑以及各类工业级移动终端。此外,该内存芯片还可用于车载信息娱乐系统、医疗设备和智能家电等领域。

替代型号

H5MS5122EFR-J3MCR, H5MS5122EFR-R6MCR, H9HP53A8JMDAR-EM, H9HP53A8AMMDDR-NJM

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