H5MS5122EFR-J3MR 时间：2025/9/1 23:15:51 阅读：23

H5MS5122EFR-J3MR 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一种高性能、低功耗的移动式DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高端智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。该芯片采用先进的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的集成度和出色的稳定性。H5MS5122EFR-J3MR的容量为4Gb（512MB），工作频率为1600Mbps，支持LPDDR4标准，适用于需要高速数据处理能力的应用场景。

参数

容量：4Gb（512MB）
　　类型：LPDDR4 SDRAM
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：200-pin
　　工作电压：1.1V
　　时钟频率：最高800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　存储结构：x16
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H5MS5122EFR-J3MR 采用先进的LPDDR4技术，具备低功耗和高性能的双重优势。其工作电压为1.1V，相比前一代LPDDR3内存，功耗显著降低，适用于对电池续航能力要求较高的移动设备。该芯片支持1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率，提供高速的数据传输能力，满足现代智能设备对多任务处理和大容量缓存的需求。
　　此外，H5MS5122EFR-J3MR 采用200-pin FBGA封装，体积小巧，便于在紧凑的主板设计中使用，同时具有良好的散热性能和电气稳定性。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种严苛的环境条件，确保设备在不同温度下都能稳定运行。

应用

H5MS5122EFR-J3MR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备以及其他需要高性能、低功耗内存的嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低电压设计，该芯片特别适用于运行复杂操作系统和多任务处理的设备，如Android智能手机、Windows平板电脑以及各类工业级移动终端。此外，该内存芯片还可用于车载信息娱乐系统、医疗设备和智能家电等领域。