时间：2025/9/1 10:59:40
阅读：43
H5MS2G32MFR-J3 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动型低功耗内存（LPDRAM）系列，广泛应用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的电子设备中。该芯片具有256Mb的存储容量，采用x32位的并行接口，支持低功耗模式，适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑等。
容量：256Mb
组织结构：x32位
封装类型：FBGA
电压：1.8V
工作温度：-40°C至+85°C
接口类型：并行接口
时钟频率：166MHz
封装尺寸：54-ball FBGA
工艺技术：CMOS
最大存取时间：5.4ns
H5MS2G32MFR-J3 芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，非常适合用于电池供电的便携设备。该芯片支持多种低功耗操作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以延长设备的电池寿命。此外，该DRAM芯片具有较高的数据传输速率，支持高速数据存取，从而提升设备的整体性能。
该芯片采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于紧凑型电子设备的设计。其工作温度范围较宽，可以在-40°C至+85°C之间稳定运行，适用于各种严苛的环境条件。同时，H5MS2G32MFR-J3 支持多种刷新模式，确保数据在长时间运行中的可靠性。
H5MS2G32MFR-J3 主要应用于需要低功耗和高性能存储的嵌入式系统和移动设备，例如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机以及各种类型的工业控制设备。由于其低功耗特性和紧凑的封装设计，该芯片也适用于需要长时间运行和节能的物联网（IoT）设备和可穿戴电子产品。
H5MS2G32MFR-J3C, H5MS2G32BFJ-J3, H5MS2G32CFR-J3, H5MS2G32MFJ-J3
