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H5MS2G32MFR-J3 发布时间 时间:2025/9/1 10:59:40 查看 阅读:8

H5MS2G32MFR-J3 是由SK hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动型低功耗内存(LPDRAM)系列,广泛应用于移动设备、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的电子设备中。该芯片具有256Mb的存储容量,采用x32位的并行接口,支持低功耗模式,适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑等。

参数

容量:256Mb
  组织结构:x32位
  封装类型:FBGA
  电压:1.8V
  工作温度:-40°C至+85°C
  接口类型:并行接口
  时钟频率:166MHz
  封装尺寸:54-ball FBGA
  工艺技术:CMOS
  最大存取时间:5.4ns
  

特性

H5MS2G32MFR-J3 芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,非常适合用于电池供电的便携设备。该芯片支持多种低功耗操作模式,包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式,以延长设备的电池寿命。此外,该DRAM芯片具有较高的数据传输速率,支持高速数据存取,从而提升设备的整体性能。
  该芯片采用FBGA(细间距球栅阵列)封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于紧凑型电子设备的设计。其工作温度范围较宽,可以在-40°C至+85°C之间稳定运行,适用于各种严苛的环境条件。同时,H5MS2G32MFR-J3 支持多种刷新模式,确保数据在长时间运行中的可靠性。

应用

H5MS2G32MFR-J3 主要应用于需要低功耗和高性能存储的嵌入式系统和移动设备,例如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、数码相机以及各种类型的工业控制设备。由于其低功耗特性和紧凑的封装设计,该芯片也适用于需要长时间运行和节能的物联网(IoT)设备和可穿戴电子产品。

替代型号

H5MS2G32MFR-J3C, H5MS2G32BFJ-J3, H5MS2G32CFR-J3, H5MS2G32MFJ-J3

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