容量：2Gb（256MB）
　　组织结构：x16
　　封装类型：FBGA
　　引脚数量：134
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：LPDDR4
　　最大时钟频率：1600MHz
　　数据速率：3200Mbps
　　电源电压：1.1V（核心电压VDD），1.1V（I/O电压VDDQ）
　　刷新周期：64ms
　　数据预取：2n预取
　　封装尺寸：10mm x 10mm

H5MS2G22MFR-Q3M 是一款面向移动设备和嵌入式应用的低功耗DRAM芯片，其核心特性包括高数据传输速率、低功耗设计和紧凑的封装形式。该芯片支持3200Mbps的数据速率，能够在高频操作下保持稳定性能，满足高带宽需求的应用场景。其1.1V核心电压和I/O电压设计显著降低了功耗，延长了便携设备的电池寿命。
　　该芯片采用了先进的FBGA封装技术，确保了良好的热管理和电气性能，适用于空间受限的设计。此外，H5MS2G22MFR-Q3M 支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电电源下降模式，进一步优化了能耗表现。
　　在可靠性和稳定性方面，H5MS2G22MFR-Q3M 符合JEDEC标准，具备宽温度范围（-40°C 至 +85°C）操作能力，适用于工业级和汽车电子应用。其64ms刷新周期确保了数据的完整性，同时支持自动刷新和自刷新功能，降低了系统控制器的负担。

H5MS2G22MFR-Q3M 主要应用于移动设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载导航系统以及工业自动化设备。其低功耗和高性能特性使其成为对电池寿命和性能都有较高要求的应用场景的理想选择。此外，该芯片也适用于需要高稳定性和宽温操作的工业控制系统、嵌入式计算机和网络设备。

H5MS2G22AFR-Q3M, H5MS2G22FFR-Q3M