H5MS2G22AFR-E3M 时间：2025/9/2 10:44:52 阅读：22

H5MS2G22AFR-E3M 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别，主要用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。它采用FBGA封装技术，具有较高的存储密度和较快的数据访问速度。这款DRAM芯片支持移动设备在多任务处理、高清视频播放、大型游戏等高负载场景下的流畅运行。

参数

品牌: SK hynix
　　型号: H5MS2G22AFR-E3M
　　封装: FBGA
　　容量: 2 Gbit
　　组织结构: x16
　　电压: 1.5V/1.35V
　　频率: 高达800MHz
　　数据速率: 1600Mbps
　　工作温度: -40°C ~ +85°C

特性

H5MS2G22AFR-E3M 芯片具有多项优异的性能特点，首先是其低电压设计，使其在1.5V或1.35V电压下运行，有效降低了功耗，延长了移动设备的电池续航时间。
　　其次是其高数据速率，达到了1600Mbps，能够满足现代移动设备对高速数据处理的需求，使应用程序的响应更加迅速。
　　此外，该芯片采用了先进的FBGA封装技术，确保了良好的热管理和电气性能，提高了设备的稳定性和可靠性。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，适应了各种恶劣的环境条件，适用于多种便携式电子产品。
　　该DRAM芯片的x16位宽设计，使其在数据传输效率上表现优异，能够有效支持高分辨率图像和视频的实时处理。

应用

H5MS2G22AFR-E3M 主要应用于智能手机、平板电脑、超极本、嵌入式系统以及各种便携式消费电子产品。其高性能和低功耗特性使其成为移动计算设备的理想选择。在高负载的图形处理任务中，例如大型游戏和4K视频播放，该芯片能够提供稳定的数据传输支持，确保设备的流畅运行。此外，它也可用于工业控制、车载电子系统等需要可靠内存解决方案的场景。