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H5MS2G22AFR-E3M 发布时间 时间:2025/9/2 10:44:52 查看 阅读:4

H5MS2G22AFR-E3M 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别,主要用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。它采用FBGA封装技术,具有较高的存储密度和较快的数据访问速度。这款DRAM芯片支持移动设备在多任务处理、高清视频播放、大型游戏等高负载场景下的流畅运行。

参数

品牌: SK hynix
  型号: H5MS2G22AFR-E3M
  封装: FBGA
  容量: 2 Gbit
  组织结构: x16
  电压: 1.5V/1.35V
  频率: 高达800MHz
  数据速率: 1600Mbps
  工作温度: -40°C ~ +85°C

特性

H5MS2G22AFR-E3M 芯片具有多项优异的性能特点,首先是其低电压设计,使其在1.5V或1.35V电压下运行,有效降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。
  其次是其高数据速率,达到了1600Mbps,能够满足现代移动设备对高速数据处理的需求,使应用程序的响应更加迅速。
  此外,该芯片采用了先进的FBGA封装技术,确保了良好的热管理和电气性能,提高了设备的稳定性和可靠性。
  其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应了各种恶劣的环境条件,适用于多种便携式电子产品。
  该DRAM芯片的x16位宽设计,使其在数据传输效率上表现优异,能够有效支持高分辨率图像和视频的实时处理。

应用

H5MS2G22AFR-E3M 主要应用于智能手机、平板电脑、超极本、嵌入式系统以及各种便携式消费电子产品。其高性能和低功耗特性使其成为移动计算设备的理想选择。在高负载的图形处理任务中,例如大型游戏和4K视频播放,该芯片能够提供稳定的数据传输支持,确保设备的流畅运行。此外,它也可用于工业控制、车载电子系统等需要可靠内存解决方案的场景。

替代型号

H5MS2G22EFR-E3M, H5MS2G22AMR-E3M, H5MS2G22AFR-E6M

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