H5MS2G22AFR-E3M 是由SK hynix生产的一款高性能、低功耗的DRAM芯片。该芯片属于移动DRAM类别,主要用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。它采用FBGA封装技术,具有较高的存储密度和较快的数据访问速度。这款DRAM芯片支持移动设备在多任务处理、高清视频播放、大型游戏等高负载场景下的流畅运行。
品牌: SK hynix
型号: H5MS2G22AFR-E3M
封装: FBGA
容量: 2 Gbit
组织结构: x16
电压: 1.5V/1.35V
频率: 高达800MHz
数据速率: 1600Mbps
工作温度: -40°C ~ +85°C
H5MS2G22AFR-E3M 芯片具有多项优异的性能特点,首先是其低电压设计,使其在1.5V或1.35V电压下运行,有效降低了功耗,延长了移动设备的电池续航时间。
其次是其高数据速率,达到了1600Mbps,能够满足现代移动设备对高速数据处理的需求,使应用程序的响应更加迅速。
此外,该芯片采用了先进的FBGA封装技术,确保了良好的热管理和电气性能,提高了设备的稳定性和可靠性。
其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应了各种恶劣的环境条件,适用于多种便携式电子产品。
该DRAM芯片的x16位宽设计,使其在数据传输效率上表现优异,能够有效支持高分辨率图像和视频的实时处理。
H5MS2G22AFR-E3M 主要应用于智能手机、平板电脑、超极本、嵌入式系统以及各种便携式消费电子产品。其高性能和低功耗特性使其成为移动计算设备的理想选择。在高负载的图形处理任务中,例如大型游戏和4K视频播放,该芯片能够提供稳定的数据传输支持,确保设备的流畅运行。此外,它也可用于工业控制、车载电子系统等需要可靠内存解决方案的场景。
H5MS2G22EFR-E3M, H5MS2G22AMR-E3M, H5MS2G22AFR-E6M