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H5MS2622NFR-J3MR 发布时间 时间:2025/9/2 0:59:56 查看 阅读:6

H5MS2622NFR-J3MR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器,广泛用于需要大容量内存和高速数据处理的电子设备中。这款DRAM芯片通常采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,具有低功耗、高稳定性和高集成度的特点。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  数据总线宽度:16位
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:FBGA
  引脚数量:54pin
  时钟频率:166MHz
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C

特性

H5MS2622NFR-J3MR具备多项优良特性,使其在多种应用场景中表现出色。首先,该芯片采用16位数据总线宽度设计,能够在高频操作下实现高效的数据传输,适用于需要快速读写的应用环境。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,使芯片能够在不同电源条件下稳定运行,提高了兼容性和适应性。
  该芯片的FBGA封装形式不仅提供了良好的散热性能,还减小了封装尺寸,有助于实现设备的小型化设计。同时,其支持的166MHz时钟频率确保了快速的数据存取速度,适用于需要实时处理的系统。
  在环境适应性方面,H5MS2622NFR-J3MR支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适用于工业级和汽车电子应用,具备良好的稳定性和可靠性。此外,其低功耗设计有助于降低系统整体能耗,延长设备续航时间。

应用

H5MS2622NFR-J3MR 主要应用于需要中等容量内存的嵌入式系统和工业设备,如工业控制设备、网络通信设备、车载电子系统、智能家电、医疗设备以及手持式终端设备等。由于其高稳定性、宽温度范围和低功耗特性,特别适合用于对可靠性和性能要求较高的工业与汽车电子系统。
  在通信领域,该芯片可用于路由器、交换机和通信基站等设备,为系统提供高效的数据缓存支持。在消费电子领域,它也广泛应用于智能电视、机顶盒和智能穿戴设备中,以提升系统的运行速度和响应能力。

替代型号

H5MS2622NFR-J3M, H5MS2622NFJ-B6M, HY5DU281622FTP-6A

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