容量：256MB
　　类型：Mobile DRAM
　　组织结构：x16
　　工作电压：1.8V
　　接口类型：并行接口（Parallel Interface）
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　时钟频率：高达166MHz
　　数据速率：333Mbps
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　功耗特性：低功耗自动刷新模式（LPASR）、自刷新模式（SR）、深度掉电模式（DP）

H5MS256NFR-J3M 具备多项高性能和低功耗特性，是专为移动设备设计的存储解决方案。其主要特性包括支持多种低功耗模式，如低功耗自动刷新（LPASR）、自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down），以延长设备电池寿命。芯片采用1.8V电源供电，降低了整体功耗，并通过并行接口提供高达333Mbps的数据速率，确保了高速数据传输能力。
　　该DRAM芯片支持166MHz的时钟频率，内部组织结构为x16，提供了256MB的存储容量。封装形式为54-ball FBGA，具有较小的封装尺寸，适合空间受限的便携式电子产品。此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下都能稳定运行。
　　为了提高系统的稳定性和兼容性，H5MS256NFR-J3M 还集成了内部温度传感器和模式寄存器（Mode Register），允许用户根据应用需求进行配置。其自动刷新和自刷新功能可以确保数据在不频繁访问时仍能保持完整，同时减少外部控制器的干预，从而降低系统复杂性和功耗。

H5MS256NFR-J3M 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的便携式电子设备。它广泛用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式媒体播放器、GPS导航设备以及工业控制和嵌入式系统中。由于其低功耗特性和紧凑的封装设计，该芯片也非常适合用于电池供电的物联网（IoT）设备和边缘计算设备。此外，该DRAM芯片还可用于需要高速数据处理的消费类电子产品，如数码相机、游戏掌机和便携式医疗设备等。
　　在嵌入式系统设计中，H5MS256NFR-J3M 可作为主存储器用于运行操作系统、缓存数据或支持图形处理任务。其高带宽和低延迟特性使其适用于需要快速响应和大量数据处理的应用场景，例如实时视频解码、图形渲染和多任务处理等。由于其广泛的温度适应能力，该芯片也可用于工业自动化设备、车载电子系统和户外通信设备等苛刻环境下的应用。

H5MS256NFR-J3C, H5MS256NFR-R6M, H5MS256NFR-B6C, MT48LC16M16A2B4-3.3V