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H5MS2562NFR 发布时间 时间:2025/9/1 20:12:06 查看 阅读:10

H5MS2562NFR是现代(Hyundai)公司推出的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速存取性能和较低的功耗,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。H5MS2562NFR的存储容量为256Kbit,采用异步工作方式,通常用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等对性能和稳定性要求较高的电子设备中。

参数

容量:256Kbit
  组织方式:32K x 8
  电源电压:3.3V或5V可选
  最大访问时间:55ns、70ns、100ns(根据后缀不同)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装引脚数:54引脚
  工作模式:异步模式
  输出类型:三态输出
  封装尺寸:根据具体封装要求有所不同

特性

H5MS2562NFR SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有高速访问能力和低功耗特性。其异步控制接口允许灵活的时序控制,适用于多种微处理器和控制器系统。该芯片具备较高的数据保持稳定性,适用于需要频繁读写操作的应用场景。
  该芯片的高速访问时间(最快可达55ns)确保了系统运行的高效性,同时支持多种电源电压选项(3.3V或5V),提高了其在不同设计环境中的兼容性。此外,H5MS2562NFR的工业级温度范围使其能够在较为严苛的环境中稳定工作,广泛应用于工业自动化设备、通信模块、网络设备等产品中。
  该芯片的三态输出结构可有效减少总线冲突,提高系统的可靠性。其TSOP封装形式具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。此外,H5MS2562NFR的高抗干扰能力和稳定的数据存储性能使其成为许多高性能嵌入式系统中的关键组件。

应用

H5MS2562NFR SRAM芯片主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统中,例如工业控制系统、通信设备、路由器、交换机、测试仪器、数据采集系统等。在一些对数据访问速度要求较高的场合,如图像处理、实时控制等领域,该芯片也能发挥出色的性能。

替代型号

IS61LV256AL-10T、CY62148E-45ZS、IDT71V016SA-10P

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