您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > H5MS2562NFR-E3MR

H5MS2562NFR-E3MR 发布时间 时间:2025/9/2 0:54:59 查看 阅读:17

H5MS2562NFR-E3MR 是由SK hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器系列。这款芯片主要用于需要大容量内存和高速数据存取的应用场景,例如网络设备、服务器、工业计算机和嵌入式系统等。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,具备较高的稳定性和散热性能。H5MS2562NFR-E3MR 的设计符合工业标准,适用于需要高可靠性的应用环境。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16
  工作电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:54-ball FBGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:166MHz
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms
  

特性

H5MS2562NFR-E3MR 具备多项高性能和高可靠性的特点。首先,它的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,这使得该芯片能够适应多种电源供应环境,增强了其在不同应用场景中的兼容性。其次,该芯片采用54-ball FBGA封装,提供了良好的电气性能和热管理能力,有助于在高负载运行时保持稳定。此外,H5MS2562NFR-E3MR 支持自动刷新和自刷新模式,能够在不丢失数据的情况下降低功耗,适用于对能耗敏感的应用。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于严苛的工业环境。其数据速率为166MHz,访问时间为5.4ns,保证了快速的数据读写能力,适用于需要高速处理的应用。最后,H5MS2562NFR-E3MR 还支持多种低功耗模式,有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生,非常适合用于嵌入式系统和便携式设备。
  另一个重要特性是其64ms的刷新周期,能够在保证数据完整性的同时减少刷新操作的频率,从而提升整体系统效率。该芯片还具备较高的抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中依然稳定运行。H5MS2562NFR-E3MR 符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,符合现代电子产品的绿色环保要求。此外,该芯片的引脚排列设计优化,有助于降低PCB布局的复杂性,提高电路设计的灵活性。

应用

H5MS2562NFR-E3MR 主要应用于需要大容量内存和高速数据处理的设备。常见的应用包括网络交换机、路由器、工业控制设备、通信基站、嵌入式系统以及各种高性能计算设备。由于其宽温工作范围和高可靠性,该芯片也常用于汽车电子系统、安防监控设备和智能仪表等工业级应用。在消费类电子产品中,该芯片可用于高端平板电脑、智能电视和多媒体播放器等需要大容量缓存的设备。此外,H5MS2562NFR-E3MR 还广泛用于测试与测量设备、医疗成像系统和工业自动化控制系统等对数据处理速度和稳定性有较高要求的领域。

替代型号

H5MS2562GFR-E3MR, H5MS2562NFR-E3CM, H5MS2562NFR-E2MR

H5MS2562NFR-E3MR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

H5MS2562NFR-E3MR产品