H5MS2562JFR-E3M-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其移动DRAM产品线。该芯片专为移动设备和高性能计算应用设计,具备低功耗和高带宽特性。H5MS2562JFR-E3M-C 是一款 LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)类型的DRAM芯片,广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及需要高内存带宽的便携式设备中。该芯片采用BGA(Ball Grid Array)封装形式,具有较高的集成度和稳定性。
容量:2GB (256M x 16 Bit)
类型:LPDDR4 SDRAM
电压:1.1V / 1.8V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:BGA
数据速率:3200Mbps
接口类型:x16
制造工艺:1x nm 工艺
H5MS2562JFR-E3M-C 是一款专为低功耗设计的LPDDR4 SDRAM芯片,其主要特性包括高效的能耗管理、高速数据传输能力以及在多种工作环境下的稳定性。该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新、深度掉电模式等,从而显著延长移动设备的电池寿命。
在性能方面,H5MS2562JFR-E3M-C 提供高达3200Mbps的数据传输速率,支持多银行架构和突发长度控制,以提升内存访问效率。此外,该芯片采用了先进的1x纳米级制造工艺,不仅提升了芯片的密度,还降低了功耗和发热。
为了适应不同的应用环境,这款DRAM芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C),确保在极端温度条件下仍能稳定运行。其BGA封装方式也提供了良好的电气性能和热管理能力,适用于紧凑型高密度PCB布局。
H5MS2562JFR-E3M-C 主要应用于移动设备和高性能嵌入式系统中,如高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统(IVI)、工业控制系统以及便携式医疗设备等。由于其低功耗和高带宽特性,也非常适合需要长时间运行和快速数据处理的场景,例如游戏、多媒体播放、AI推理和实时数据分析等应用。
H5MS2562JFR-E3M-C 的替代型号包括三星的LPDDR4系列如K3UH5H5NAM-ACLU、美光的DRAM芯片MT51J256M16A256A以及SK hynix自家的其他LPDDR4型号如H5MS2562GFR-E3M-C。