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H5MS2562JFR-A3M 发布时间 时间:2025/9/1 21:40:30 查看 阅读:4

H5MS2562JFR-A3M 是由SK hynix(海力士)生产的一款高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域。该型号属于DDR4 SDRAM(双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器)类别,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,适合需要大量内存带宽的应用场景。

参数

容量:256Mb
  数据宽度:X16
  封装类型:FBGA
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:1.2V
  最大工作频率:800MHz
  数据速率:1600Mbps
  封装尺寸:93球FBGA
  刷新周期:64ms
  

特性

H5MS2562JFR-A3M 是一款基于DDR4技术的高性能DRAM芯片,具有多项显著的技术优势。首先,其采用了1.2V的低电压设计,相比于前代DDR3 SDRAM,功耗更低,有助于提高能效,特别适合对功耗敏感的高性能计算和服务器应用。其次,该芯片支持高达1600Mbps的数据速率,能够提供高效的数据传输能力,满足现代系统对内存带宽的高要求。
  该芯片的容量为256Mb,数据宽度为x16,适用于需要大量数据处理的应用场景。它采用93球FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于紧凑型电路设计。此外,H5MS2562JFR-A3M 的工作温度范围为-40°C至+85°C,具备良好的温度适应性,可以在工业级环境下稳定运行。
  该DRAM芯片还支持多种节能模式,包括自刷新(Self-Refresh)、深度掉电模式(Deep Power-Down)等,能够在不使用内存时有效降低功耗。同时,其内置的温度传感器可以监测芯片温度,并根据温度变化调整刷新速率,进一步优化功耗与稳定性。此外,H5MS2562JFR-A3M 还支持自动预充电、突发长度可编程、CAS延迟可调等功能,提高了内存访问的灵活性和效率。

应用

H5MS2562JFR-A3M 主要应用于需要高性能内存支持的电子设备中。例如,在服务器和数据中心中,该芯片可以用于构建高带宽内存子系统,提升数据处理能力;在网络设备(如路由器、交换机)中,可用于高速缓存和数据缓冲,提高网络传输效率;在嵌入式系统和工业控制设备中,其高稳定性和宽温工作范围使其能够在恶劣环境下可靠运行。此外,该芯片也可用于高端图形处理、人工智能计算、云计算等对内存带宽和容量有较高要求的领域。

替代型号

H5MS2562GFR-A3M, H5MS2562EFR-A3M

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