H5MS2532JFR-J3M 时间：2025/9/2 2:23:47 阅读：11

H5MS2532JFR-J3M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高速度的存储器件，适用于需要大量数据缓存和快速读写能力的电子设备。H5MS2532JFR-J3M具有高性能和低功耗的特点，广泛应用于工业控制、嵌入式系统、网络设备以及消费类电子产品中。

参数

容量：256Mbit
　　组织结构：32M x 8
　　电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　时钟频率：最大可达166MHz
　　数据速率：166MHz

特性

H5MS2532JFR-J3M 是一款高速CMOS动态存储器，采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的稳定性。该芯片支持自动刷新（Auto-refresh）和自刷新（Self-refresh）模式，有效延长数据保持时间并减少系统功耗。其高速访问时间（5.4ns）使得该芯片能够满足高性能系统对内存响应速度的要求。此外，H5MS2532JFR-J3M具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于各种复杂的工作环境。
　　该DRAM芯片采用TSOP封装形式，有助于提高封装密度并降低PCB布局的复杂度。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业级应用环境。H5MS2532JFR-J3M还支持多种工作模式，包括页模式（Page Mode）和突发模式（Burst Mode），以适应不同的系统设计需求。