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H5MS1G62MFP-K3M 发布时间 时间:2025/9/2 4:40:45 查看 阅读:4

H5MS1G62MFP-K3M 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动式DRAM产品系列,通常用于需要高性能和低功耗的移动设备和嵌入式系统中。这款芯片的容量为1Gb(Gigabit),采用FBGA封装技术,适合在空间受限的应用环境中使用。

参数

容量:1Gb
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  电压:1.5V / 1.35V
  接口类型:并行接口
  时钟频率:166MHz
  工作温度:-40°C ~ +85°C

特性

H5MS1G62MFP-K3M 的主要特性包括低功耗设计和高性能表现,非常适合在移动设备中使用。
  首先,该芯片支持多种低功耗模式,例如自动刷新、自刷新和深度掉电模式,有助于降低整体能耗,从而延长设备的电池寿命。
  其次,这款DRAM芯片具有较高的数据访问速度,其时钟频率可达到166MHz,为设备提供流畅的运行体验。
  此外,H5MS1G62MFP-K3M 采用了先进的CMOS技术,不仅提高了存储单元的稳定性和可靠性,还增强了抗干扰能力,适用于各种复杂的工作环境。
  最后,FBGA封装形式不仅节省了PCB板上的空间,还提高了散热性能,确保在高负载下仍能保持良好的工作状态。

应用

H5MS1G62MFP-K3M 主要应用于需要高效能和低功耗的便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统和工业控制设备等。
  在智能手机和平板电脑中,这款DRAM芯片能够支持复杂的多任务处理,提供更流畅的用户体验。
  在嵌入式系统和工业控制设备中,它可用于存储临时运行数据,提高系统的响应速度和稳定性。
  此外,H5MS1G62MFP-K3M 也可用于需要高速数据处理的网络设备和多媒体设备,如路由器、媒体播放器等。

替代型号

H5MS1G62EFR-K3C, H5MS1G62IMR-K3C, H5MS1G62EFR-R6C

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