H5MS1G62MFP-K3 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动式低功耗DRAM(LPDRAM)系列,广泛用于需要低功耗和高性能的移动设备、嵌入式系统和便携式电子产品中。这款DRAM芯片采用了FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较小的封装尺寸和较高的存储密度。
容量:256MB(MegaBytes)
组织结构:x16位宽
类型:LPDDR2 SDRAM(Low Power Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
工作电压:1.2V ~ 1.8V(根据操作模式)
最大时钟频率:1066MHz
数据速率:1066Mbps/pin
封装类型:FBGA
引脚数量:144
工作温度范围:-40°C至+85°C
低功耗设计:H5MS1G62MFP-K3 专为低功耗应用设计,支持多种节能模式(如自刷新、深度掉电模式等),以延长电池寿命。
高性能:该芯片支持高达1066Mbps的数据速率,能够满足高带宽应用的需求,如高清视频处理、图形加速和高速数据缓存。
小尺寸封装:采用144-FBGA封装,尺寸紧凑,适用于空间受限的便携设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
高可靠性:支持宽温范围(-40°C至+85°C),确保在各种环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。
兼容性:符合JEDEC标准,确保与各种主控芯片和系统平台的兼容性,便于设计和集成。
移动设备:如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器,提供快速的内存访问和低功耗运行。
嵌入式系统:工业控制设备、智能家电和物联网(IoT)设备,满足对功耗和性能的双重需求。
车载电子:用于车载导航系统、车载娱乐系统和ADAS(高级驾驶辅助系统),确保在高温环境下稳定运行。
消费类电子产品:如数码相机、便携式游戏机和智能手表,提供高性能和紧凑的设计方案。
H5MS2T62EFR-K3C
H5MS1G63MFP-K3