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H5MS1G62MFP-J3M 发布时间 时间:2025/9/2 11:26:30 查看 阅读:10

H5MS1G62MFP-J3M 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动式DRAM类别,通常用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和其他需要低功耗内存解决方案的应用。该型号具有1Gbit的存储容量,采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,适合高密度和高性能需求的应用场景。

参数

容量:1Gbit
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  制造商:SK Hynix
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

H5MS1G62MFP-J3M是一款专为低功耗应用设计的DRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,能够在低电压下稳定运行,从而降低整体功耗。
  该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新和深度掉电模式,适用于电池供电设备,以延长电池寿命。
  其FBGA封装提供了优良的散热性能和电气性能,确保在高密度PCB布局中的可靠性和稳定性。
  此外,该芯片支持自动刷新功能,确保数据在长时间运行中保持完整,同时具备高数据传输速率,适合高性能计算和图形处理应用。
  这款DRAM芯片符合RoHS标准,确保其在环保方面的合规性,适用于现代电子设备的绿色制造要求。

应用

H5MS1G62MFP-J3M广泛应用于移动设备,如智能手机和平板电脑,作为主内存或图形内存使用。
  也可用于嵌入式系统、手持终端、工业控制设备和消费类电子产品中的数据存储和高速缓存解决方案。
  由于其低功耗特性和高数据传输速率,该芯片也适用于需要高效能和低能耗平衡的物联网(IoT)设备和智能穿戴设备。

替代型号

H5MS1G62EFR-J3M

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H5MS1G62MFP-J3M参数

  • 位址总线宽14bit
  • 字组数目16M
  • 存储器大小1Gbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度8mm
  • 封装类型FBGA
  • 尺寸12 x 8 x 0.61mm
  • 引脚数目60
  • 数据总线宽度16bit
  • 数据速率333MHz
  • 最低工作温度-25 °C
  • 最大工作电源电压1.95 V
  • 最小工作电源电压1.7 V
  • 最长随机存取时间5ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目16bit
  • 组织16M x 16 位
  • 长度12mm
  • 高度0.61mm