H5MS1G62MFP-J3M 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于移动式DRAM类别,通常用于便携式设备,如智能手机、平板电脑和其他需要低功耗内存解决方案的应用。该型号具有1Gbit的存储容量,采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,适合高密度和高性能需求的应用场景。
容量:1Gbit
类型:DRAM
封装类型:FBGA
制造商:SK Hynix
工作温度范围:-40°C至85°C
H5MS1G62MFP-J3M是一款专为低功耗应用设计的DRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,能够在低电压下稳定运行,从而降低整体功耗。
该芯片支持多种低功耗模式,包括自刷新和深度掉电模式,适用于电池供电设备,以延长电池寿命。
其FBGA封装提供了优良的散热性能和电气性能,确保在高密度PCB布局中的可靠性和稳定性。
此外,该芯片支持自动刷新功能,确保数据在长时间运行中保持完整,同时具备高数据传输速率,适合高性能计算和图形处理应用。
这款DRAM芯片符合RoHS标准,确保其在环保方面的合规性,适用于现代电子设备的绿色制造要求。
H5MS1G62MFP-J3M广泛应用于移动设备,如智能手机和平板电脑,作为主内存或图形内存使用。
也可用于嵌入式系统、手持终端、工业控制设备和消费类电子产品中的数据存储和高速缓存解决方案。
由于其低功耗特性和高数据传输速率,该芯片也适用于需要高效能和低能耗平衡的物联网(IoT)设备和智能穿戴设备。
H5MS1G62EFR-J3M