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H5MS1G62AFR-E3M 发布时间 时间:2025/9/2 10:20:05 查看 阅读:11

H5MS1G62AFR-E3M 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的128MB(1Gbit)低功耗DRAM芯片,属于移动DRAM(Mobile RAM)类别。该芯片广泛应用于需要高带宽和低功耗的便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。H5MS1G62AFR-E3M采用FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较高的集成度和稳定性。这款DRAM芯片支持移动DDR(mDDR)接口,具备快速数据传输能力,同时在低电压下运行,有助于延长设备的电池寿命。

参数

容量:1Gbit
  组织结构:128MB x8/x16
  封装类型:FBGA
  接口:mDDR(Mobile DDR)
  工作电压:通常为1.8V或2.5V
  最大时钟频率:166MHz
  数据速率:333Mbps
  数据宽度:8位或16位
  工作温度范围:工业级温度范围(通常为-40°C至+85°C)

特性

H5MS1G62AFR-E3M 作为一款移动DRAM芯片,具备多项显著特性,以满足现代便携式设备对高性能和低功耗的需求。
  首先,其低功耗设计是该芯片的重要优势之一。H5MS1G62AFR-E3M 支持多种低功耗模式,如自动刷新(Auto Refresh)、自刷新(Self Refresh)和深度掉电模式(Deep Power Down),以在设备不活跃时显著降低能耗。这使得它非常适合用于需要延长电池续航时间的移动设备。
  其次,该芯片采用mDDR接口,支持高达333Mbps的数据传输速率,能够满足移动设备对高速数据处理的需求。其166MHz的时钟频率和灵活的数据宽度(x8/x16)配置,使其能够适应不同的系统架构,提升整体性能。
  此外,H5MS1G62AFR-E3M 采用FBGA封装技术,具有较高的可靠性和稳定性。这种封装方式不仅减少了芯片的尺寸,还提高了热管理和电气性能,适合在空间受限和高密度的电路板设计中使用。
  最后,该芯片支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),可在各种环境条件下稳定运行,确保设备在极端温度下的正常工作。

应用

H5MS1G62AFR-E3M 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。常见应用包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、导航设备、工业控制设备和便携式多媒体播放器等。在智能手机和平板电脑中,该芯片可作为主内存,用于运行操作系统、应用程序和缓存数据,提供流畅的用户体验。在智能穿戴设备中,其低功耗特性有助于延长设备的续航时间。在工业控制系统中,H5MS1G62AFR-E3M 能够提供稳定的数据存储和高速处理能力,适用于需要长时间运行的自动化设备和嵌入式平台。

替代型号

H5MS1G62EFR-E3M,H5MS1G62EMR-E3M,H5MS1G62AMR-E3M

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