H5MS1G22BFR 时间：2025/12/26 17:04:02 阅读：15

H5MS1G22BFR是SK Hynix（海力士）生产的一款低功耗DDR2 SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片，属于移动内存产品线，主要面向需要高性能与低功耗平衡的便携式电子设备。该器件采用FBGA封装，容量为1Gb（128MB），组织结构为64M x 16位，工作电压为1.8V，符合JEDEC标准的低电压DDR2规范（LPDDR2）。H5MS1G22BFR广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式多媒体播放器、移动互联网设备（MID）以及其他对功耗敏感的嵌入式系统中。该芯片支持多种低功耗操作模式，包括自刷新模式、电源关闭模式和深度掉电模式，能够在待机或空闲状态下显著降低功耗，延长电池续航时间。此外，H5MS1G22BFR具备较高的数据传输速率，可在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，实现双倍数据速率传输，典型工作频率可达200MHz（等效400Mbps数据率），满足中高端移动设备对内存带宽的需求。其紧凑的封装尺寸也使其非常适合空间受限的应用场景。作为LPDDR2标准的一部分，H5MS1G22BFR在引脚兼容性和软件兼容性方面与其他同系列器件保持一致，便于系统设计和升级。

参数

型号：H5MS1G22BFR
　　制造商：SK Hynix
　　产品类型：LPDDR2 SDRAM
　　存储容量：1 Gb
　　组织结构：64M x 16
　　工作电压：1.8 V
　　接口类型：并行
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96
　　工作温度范围：-40°C ~ 85°C
　　最大时钟频率：200 MHz
　　数据速率：400 Mbps（DDR）
　　访问时间：约7.5 ns
　　刷新周期：64ms / 8192 rows ≈ 7.8μs

特性

H5MS1G22BFR的核心特性之一是其低功耗设计，专为移动设备优化。该芯片支持多种省电模式，包括自动刷新（Auto Refresh）、自刷新（Self Refresh）、预充电电源关闭（Precharge Power-down）和活动电源关闭（Active Power-down）模式。在自刷新模式下，内存能够维持数据存储而无需外部时钟，显著降低待机电流；而在电源关闭模式下，核心电路被关闭以进一步减少漏电流。这些功能使得H5MS1G22BFR在移动应用场景中表现出优异的能效比。此外，该器件采用差分时钟输入（CK/CK#）和数据选通信号（DQS/DQS#）来实现高速同步数据传输，确保信号完整性与时序精确匹配。
　　H5MS1G22BFR具备16位数据总线宽度，提供更高的数据吞吐能力，适用于图形处理、多任务操作系统和多媒体应用。其内部架构分为多个Bank（通常为4或8个），支持交错式访问以提高连续读写效率。器件支持突发长度可编程（如BL=4、BL=8），并可通过模式寄存器配置工作参数，增强了系统的灵活性。H5MS1G22BFR还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，在高温环境下自动调整刷新率以保证数据可靠性，同时避免过度消耗电流。
　　该芯片采用96-ball FBGA封装，具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。其封装尺寸小巧，典型为9mm x 13mm或类似规格，适应便携设备的小型化需求。制造工艺基于先进的CMOS技术，具备良好的抗干扰能力和稳定性。H5MS1G22BFR符合RoHS环保标准，无铅且符合现代电子产品环保要求。整体而言，这款芯片在性能、功耗、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是当时主流移动平台的重要组成部分。

应用

H5MS1G22BFR主要应用于各类便携式消费类电子产品，尤其是在早期智能手机和平板电脑中广泛应用。它常被用作应用处理器的主内存（RAM），支持Android、iOS及其他嵌入式操作系统的运行，能够高效处理图形界面渲染、多任务切换、网页浏览和高清视频播放等任务。此外，该芯片也用于便携式导航设备（PND）、智能手持终端、工业控制面板、医疗便携仪器以及车载信息娱乐系统等对稳定性和功耗有较高要求的领域。由于其支持宽温工作范围（-40°C至85°C），H5MS1G22BFR也可部署在环境条件较为严苛的工业或户外设备中。在一些需要临时大容量数据缓存的通信模块或网络设备中，该器件也被用作高速缓冲存储器。随着LPDDR2逐步被LPDDR3/4取代，H5MS1G22BFR更多出现在维护项目、库存设备或成本敏感型产品中，但仍因其成熟性和稳定性保有一定市场存量。