时间：2025/9/2 11:12:38
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H5MS1G22BFR-E3M 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片采用BGA（球栅阵列封装），适用于需要高速存储访问的应用场景。它属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）系列，具有较大的存储容量和较高的数据传输速率，适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等对性能和稳定性有较高要求的场合。
存储容量：128MB（1Gbit）
数据位宽：16位
工作频率：166MHz
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：BGA
封装尺寸：54-ball FBGA
数据传输速率：166MHz
工作温度范围：-40°C至+85°C
存储器类型：CMOS DRAM
刷新周期：64ms
H5MS1G22BFR-E3M具备高速数据传输能力，其最大频率可达166MHz，适用于需要快速访问存储器的应用场景。其采用的BGA封装形式不仅提高了芯片的稳定性和散热性能，还具有较好的抗干扰能力。
该芯片的工作电压范围较宽，可在2.3V至3.6V之间正常工作，适应不同的电源环境。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，适用于各种恶劣环境下的工业设备和嵌入式系统。
在数据保持方面，H5MS1G22BFR-E3M通过64ms的刷新周期确保数据的可靠性，减少数据丢失的风险。其CMOS工艺制造保证了低功耗和高稳定性，适用于对功耗敏感的设计方案。
此外，该芯片具有良好的兼容性，可广泛用于各种主板设计和系统集成中，支持多种主控平台和接口标准，便于用户进行系统扩展和升级。
H5MS1G22BFR-E3M 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、视频监控系统、汽车电子、消费类电子产品等领域。由于其高速、低功耗和宽温特性，特别适用于需要稳定运行的工业级设备和长时间工作的系统中。例如，在工业自动化控制中，该芯片可用于存储控制程序和临时数据；在网络设备中，它可作为高速缓存以提高数据处理效率；在汽车电子中，该芯片可应用于车载导航系统和行车记录仪等设备，确保系统的稳定性和响应速度。
IS42S16100B-6T、K4S641632K-TC、CY7C1041CV、A2VDD161001A。
