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H5MS1222EFP-Q3M 发布时间 时间:2025/9/1 22:00:32 查看 阅读:5

H5MS1222EFP-Q3M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、低功耗的移动存储解决方案。这款芯片专为移动设备和嵌入式系统设计,具有较高的数据传输速率和较低的能耗,适用于智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品。H5MS1222EFP-Q3M 的封装形式为BGA(球栅阵列封装),便于高密度PCB布局。

参数

容量:2 Gb
  组织结构:x16
  工作电压:1.8V / 3.3V
  数据速率:166 MHz
  封装类型:BGA
  引脚数量:54-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5MS1222EFP-Q3M 具有低功耗设计,适用于电池供电的便携式设备,有助于延长设备的使用时间。其166 MHz的数据传输速率确保了快速的数据存取性能,满足现代移动设备对高带宽的需求。此外,该芯片采用先进的DRAM制造工艺,具有良好的稳定性和可靠性。
  芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不同工作状态下保持数据的完整性。其BGA封装形式不仅节省空间,还提高了封装的可靠性和抗干扰能力,适用于高密度PCB设计。H5MS1222EFP-Q3M 还具备良好的温度适应性,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,适用于各种严苛的环境条件。

应用

H5MS1222EFP-Q3M 主要应用于移动设备和嵌入式系统,如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式游戏机等。其低功耗和高性能的特点使其成为移动设备中理想的内存解决方案。此外,该芯片也可用于工业控制设备、汽车电子系统、消费类电子产品以及网络通信设备等需要高速、低功耗存储的场景。

替代型号

H5MS1222EFR-Q3M, H5MS1222EFP-R6M

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