时间：2025/9/1 23:48:22
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H5GQ4H24AJR-R4CR 是一种由Hynix（现代半导体）生产的高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存解决方案的一部分。该型号主要用于需要高速数据处理的应用场合，如高性能计算、图形处理和网络设备等。H5GQ4H24AJR-R4CR采用先进的制造工艺，具备高容量和低功耗的特点，适用于现代电子设备对内存性能和能效的严格要求。
容量：4Gb
类型：DRAM
数据速率：未指定
工作电压：1.8V至3.3V（根据具体规格）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54pin
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
制造厂商：Hynix
H5GQ4H24AJR-R4CR 是一款高性能的DRAM芯片，其核心特性包括高容量存储、高速数据访问以及低功耗设计。该芯片的4Gb容量使其能够满足大量数据缓存和处理的需求，适用于高端计算和图形应用。此外，H5GQ4H24AJR-R4CR采用了先进的DRAM技术，支持高速数据传输，从而提升系统整体性能。其低功耗特性也使其适用于对能耗敏感的设备，如便携式电子产品和嵌入式系统。
该芯片的TSOP封装形式确保了良好的电气性能和热稳定性，适合在各种工业环境下使用。TSOP封装还有助于减少封装体积，提高PCB布局的灵活性。此外，该芯片的工作温度范围宽广，适合工业级应用，能够在极端温度条件下保持稳定运行。
H5GQ4H24AJR-R4CR还具备良好的兼容性，能够与多种控制器和主芯片配合使用，从而简化系统设计并提高整体可靠性。其内部架构支持高效的内存管理，有助于提升系统响应速度和数据吞吐量。
H5GQ4H24AJR-R4CR主要应用于需要高性能内存支持的电子设备，包括但不限于高性能计算系统、图形加速器、网络路由器和交换机、工业控制设备以及高端消费电子产品。由于其高速度和大容量的特性，它也常用于视频处理、图像处理和实时数据分析等领域。
H5GQ4H24AMR-R4CR, H5GQ4H24AJR-6D1
