容量：24GB
　　类型：HBM2E
　　带宽：约410GB/s（具体取决于系统设计）
　　接口：堆叠式3D内存接口
　　封装类型：FBGA
　　电源电压：1.2V/1.8V
　　工作温度范围：0°C至95°C

H5GQ2H24MFR-TOC 芯片具备多项先进技术特性，使其在高性能计算和图形处理领域中表现出色。
　　首先，它采用HBM2E标准，提供了极高的内存带宽。通过堆叠多个DRAM芯片并使用硅通孔（TSV）技术，HBM2E实现了比传统GDDR内存更高的数据传输速率和更小的物理占用空间。这种高带宽特性使其非常适合用于图形渲染、AI训练和推理、科学计算等需要大量数据并行处理的应用。
　　其次，H5GQ2H24MFR-TOC 的功耗优化设计使其在高性能运行的同时保持较低的能耗。与传统内存技术相比，HBM2E在每瓦特带宽方面具有显著优势，这对于数据中心和AI加速器等对能效要求较高的应用场景尤为重要。
　　此外，该芯片采用了先进的封装技术，支持更高的内存密度和更紧凑的系统设计。HBM2E模块直接与GPU或计算芯片封装在一起，减少了内存访问延迟，提高了整体系统性能。
　　最后，H5GQ2H24MFR-TOC 具有良好的热管理和稳定性设计，能够在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为0°C至95°C，适用于多种复杂的工作环境。

H5GQ2H24MFR-TOC 主要应用于需要高带宽和高性能内存的系统中。例如，在高端显卡和GPU加速器中，它能够提供足够的内存带宽来支持复杂的图形渲染和计算任务。在人工智能和机器学习领域，该芯片可为深度学习模型的训练和推理提供高效的数据访问能力。此外，H5GQ2H24MFR-TOC 也广泛应用于高性能计算（HPC）系统、数据中心服务器、网络交换设备以及图形处理单元（GPU）模块中，满足对数据吞吐量和计算效率的严苛要求。

H5GQ2H24MBR-TOC