H5GQ2H24AFR 时间：2025/9/2 1:21:09 阅读：5

H5GQ2H24AFR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动存储器产品线的一部分。这款DRAM芯片专为移动设备和高性能计算应用设计，具有高带宽、低功耗和紧凑封装等特性。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对性能和功耗有严格要求的便携式设备。H5GQ2H24AFR 的命名中包含了其关键参数信息，如容量、数据宽度、速度等级等。

参数

制造商: SK Hynix
　　产品类型: DRAM
　　容量: 8GB
　　数据宽度: 16位
　　封装类型: BGA
　　电压: 1.8V / 2.5V
　　接口类型: 并行接口
　　工作温度范围: 工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）
　　最大访问时间: 5.4ns
　　最大时钟频率: 166MHz
　　

特性

H5GQ2H24AFR 具有多个关键特性，使其成为高性能移动设备和嵌入式系统的理想选择。
　　首先，该芯片提供了高达8GB的存储容量，能够满足现代移动设备对大容量内存的需求，尤其是在多任务处理、高清图形渲染和复杂应用运行方面表现突出。
　　其次，该DRAM芯片采用了16位数据总线宽度设计，能够在较低的时钟频率下实现较高的数据传输速率，从而在功耗和性能之间取得了良好的平衡。其并行接口设计支持高速数据存取，适用于需要高带宽的应用场景。
　　此外，H5GQ2H24AFR 支持多种低功耗模式，包括自动刷新、自刷新和待机模式，有助于延长移动设备的电池续航时间。其电源电压为1.8V和2.5V双电源供电，能够在不同的工作模式下优化功耗。
　　该芯片采用了BGA封装技术，具有良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度PCB布局，并提高了系统的可靠性。
　　最后，H5GQ2H24AFR 符合RoHS环保标准，支持无铅工艺，适用于现代绿色电子产品设计。

应用

H5GQ2H24AFR 主要应用于需要高容量、高性能DRAM的移动设备和嵌入式系统。常见应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备以及高性能嵌入式计算平台。由于其低功耗特性和高带宽性能，该芯片也适用于需要实时数据处理和图形加速的应用场景，如增强现实（AR）、虚拟现实（VR）设备以及高性能物联网（IoT）终端。