容量：2GB（16Gb）
　　组织结构：x16位数据总线
　　接口类型：LPDDR4 SDRAM
　　工作电压：1.1V（VDD）和0.6V（VDDQ）
　　数据传输速率：3200Mbps/pin
　　封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）
　　封装尺寸：8mm x 10mm x 0.8mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H5GQ2H24AFR-T2CR 的主要特性之一是其低功耗设计，适用于电池供电设备，能够在不牺牲性能的前提下有效延长设备的续航时间。其电压分为核心电压（VDD）和I/O电压（VDDQ），分别为1.1V和0.6V，显著降低了功耗和发热。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），以进一步优化能耗。
　　此外，该DRAM芯片的数据传输速率达到3200Mbps/pin，确保了高效的数据处理能力。其x16位的总线宽度和2GB的容量组合，适用于中高端移动设备的主内存配置。芯片采用先进的FBGA封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。
　　为了提升系统稳定性，该芯片支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）技术，可在高温环境下保持数据完整性。其内部校准引擎（Internal Calibration Engine）可自动调整输出驱动和ODT（On-Die Termination）阻抗，以适应不同的工作条件，确保信号完整性。

H5GQ2H24AFR-T2CR 主要应用于现代移动电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和轻薄型笔记本电脑。其高数据传输速率和低功耗特性，使其非常适合用于运行复杂操作系统和高性能应用程序的设备。此外，该芯片也适用于嵌入式系统、工业自动化设备、汽车电子系统以及需要高稳定性和低功耗的物联网（IoT）设备。
　　在智能手机中，该芯片可作为主内存（RAM），支持多任务处理、大型应用程序的运行以及高质量图形处理，如游戏和视频编辑。在物联网设备中，其低功耗模式有助于延长设备在有限电量下的运行时间。在汽车电子系统中，它可用于车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等模块，提供稳定且高效的数据存储和处理能力。

H5GQ2H24AMR-T2CR, H5GQ2H24AFR-R8CR, H5GQ2H24BFR-T2CR