时间：2025/9/2 6:11:31
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H5GQ2H24AFR-ROC 是由SK Hynix生产的一款高带宽内存（HBM2E）芯片，专为高性能计算、图形处理和AI加速应用设计。这款内存芯片采用了堆叠式结构和TSV（Through Silicon Via）技术，以提供极高的带宽和紧凑的封装。
容量：8GB
内存类型：HBM2E
带宽：高达460GB/s
工作频率：最高可达2.4Gbps/pin
封装形式：FCBGA
引脚数：1024
电压：1.2V
工作温度范围：0°C至+85°C
H5GQ2H24AFR-ROC 具有多个关键特性，使其在高性能计算和图形处理领域表现出色。
首先，该芯片采用了HBM2E（High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced）技术，提供了极高的带宽，最高可达460GB/s。这种高带宽特性使其非常适合用于GPU、AI加速器和高端计算设备，以满足对内存带宽的高要求。
其次，H5GQ2H24AFR-ROC 采用了堆叠式内存结构和TSV（Through Silicon Via）技术，使得内存芯片在有限的空间内实现了更高的容量和带宽。这种结构不仅提高了内存密度，还减少了信号延迟，从而提升了整体性能。
此外，该芯片的封装形式为FCBGA（Flip Chip Ball Grid Array），提供了更好的电气性能和热管理能力。1024个引脚的设计确保了高速信号传输的稳定性和可靠性。
最后，H5GQ2H24AFR-ROC 的工作电压为1.2V，能够在0°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于各种苛刻的工业和计算环境。
H5GQ2H24AFR-ROC 主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理单元（GPU）、数据中心服务器以及高端游戏显卡等领域。其高带宽和紧凑设计使其成为需要大量数据处理能力的系统的理想选择。
H5GQ2H24AFR-ROC的替代型号包括三星的HBMR2-8G-B2和美光的HBM2E系列芯片。
