制造商：SK Hynix
　　类型：HBM2E（High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced）
　　容量：8GB（8192MB）
　　数据速率：3.6Gbps
　　接口：4096位宽
　　封装：堆叠式TSV（Through-Silicon Via）封装
　　电压：1.3V
　　工作温度：0°C 至 +95°C
　　封装尺寸：约5.4mm x 7.6mm
　　带宽：920GB/s

H5GQ1H24MJR-N6C 是一款先进的高带宽存储器（HBM2E）芯片，具备多项高性能和高可靠性的特性。
　　首先，该芯片采用3.6Gbps的数据速率，结合4096位的超宽接口，能够实现高达920GB/s的内存带宽，远超传统GDDR6或DDR5内存的带宽水平，特别适合需要大量数据并行处理的应用。
　　其次，该芯片使用堆叠式TSV（Through-Silicon Via）封装技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠，并通过硅通孔进行电气连接。这种设计不仅大幅提高了封装密度，还减少了信号路径长度，从而降低了功耗和信号延迟。
　　此外，H5GQ1H24MJR-N6C 的工作电压为1.3V，相比早期的HBM版本进一步优化了能效，使其在高性能场景中也能保持较低的功耗水平。该芯片支持高达95°C的工作温度，适用于高密度计算设备的严苛环境条件。
　　该芯片的封装尺寸约为5.4mm x 7.6mm，极大地节省了PCB空间，非常适合用于空间受限的高端GPU、AI加速卡和网络处理器等设备。

H5GQ1H24MJR-N6C 主要应用于对内存带宽要求极高的领域，例如：
　　1. 高性能计算（HPC）系统：用于科学计算、大规模仿真和数值分析，提供超高速数据访问能力。
　　2. 人工智能（AI）加速器：如GPU和专用AI芯片（ASIC），用于深度学习训练和推理任务，提升模型计算效率。
　　3. 图形处理单元（GPU）：用于游戏、虚拟现实（VR）和计算机图形渲染，满足高分辨率和高帧率的图形处理需求。
　　4. 网络设备和数据中心：用于高速数据包处理、缓存和内存密集型任务，提升服务器和交换设备的性能。
　　5. 自动驾驶和图像识别系统：在边缘计算设备中提供实时数据处理能力，支持复杂的视觉算法。

H5GQ1H24AMR-N6C，H5GQ1H24AJR-N6C，H5GQ1H24KJR-N6C