时间：2025/9/1 15:52:50
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H5GQ1H24MJF-T0C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款内存芯片主要用于高端计算设备、服务器、网络设备以及图形处理器等需要高速数据处理的应用中。H5GQ1H24MJF-T0C 采用先进的制造工艺，具备高密度存储能力和出色的稳定性，是许多高性能系统中的关键组件。
容量：8Gb
电压：1.35V - 1.5V
接口类型：x16
封装类型：FBGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：1600Mbps
时钟频率：800MHz
存储架构：DRAM
数据宽度：x16
封装尺寸：9mm x 13mm
JEDEC标准：符合JEDEC标准
H5GQ1H24MJF-T0C 是一款高性能的DRAM芯片，采用先进的1x纳米制程工艺，提供8Gb的存储容量。该芯片支持x16的数据总线宽度，数据传输速率高达1600Mbps，适用于需要高速数据存取的应用场景。
该芯片的电源电压范围为1.35V至1.5V，支持低电压运行，有助于降低功耗和热量产生，从而提高系统的能效。其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式提供了良好的电气性能和散热能力，确保在高负载下的稳定运行。
H5GQ1H24MJF-T0C 符合JEDEC标准，确保了其在不同系统平台上的兼容性。它的工作温度范围较宽，从-40°C到+85°C，使其能够在各种环境条件下稳定工作，适用于工业级和嵌入式应用。
此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电情况下的保持能力，同时具备低功耗模式，有助于延长移动设备的电池寿命。
H5GQ1H24MJF-T0C 主要应用于需要高性能内存的设备，包括服务器、工作站、高端PC、图形卡、网络交换设备、嵌入式系统等。由于其高速度和低功耗的特性，也适用于移动设备和便携式电子产品。
H5GQ1H24MFR-T2C, H5GQ1H24MJR-T2C, H5GQ1H24MFR-T0C
