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H5GQ1H24BFR-T2CR 发布时间 时间:2025/9/2 6:39:05 查看 阅读:10

H5GQ1H24BFR-T2CR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能、低功耗的移动式双倍数据速率4(LPDDR4)同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。这款内存芯片广泛用于移动设备,如智能手机、平板电脑以及需要高带宽和低功耗特性的嵌入式系统。H5GQ1H24BFR-T2CR的封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有高密度、高稳定性和良好的散热性能。

参数

容量:8Gb(Gigabit)
  数据宽度:16位(x16)
  电压:1.1V(核心电压VDD),1.8V(I/O电压VDDQ)
  时钟频率:最大可达1600MHz
  数据速率:3200Mbps(Megabits per second)
  封装类型:BGA
  封装尺寸:9.3mm x 11.5mm
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工作模式:差分时钟(CK_t/CK_c)、数据选通(DQS_t/DQS_c)
  数据预取:2n预取架构
  数据突发长度:BL=16(突发长度16)

特性

H5GQ1H24BFR-T2CR LPDDR4 SDRAM芯片具有多项先进的性能和设计特性。首先,它采用了1x nm制程技术,提供了更高的存储密度和更低的功耗。该芯片支持高带宽操作,其数据速率达到3200Mbps,能够满足现代高性能移动设备对数据处理速度的需求。
  其次,该芯片采用了双通道架构,提高了数据传输效率,同时支持多种低功耗模式(如预充电、自刷新、深度掉电模式),以延长设备的电池续航时间。此外,H5GQ1H24BFR-T2CR具备良好的信号完整性和稳定性,通过差分时钟和数据选通设计,提高了数据传输的可靠性,减少了时序偏差和噪声干扰。
  该芯片还支持多种功能,如写入校准(Write Calibration)、读取校准(Read Calibration)和动态ODT(On-Die Termination),从而进一步优化了高速操作下的信号完整性。另外,其封装尺寸为9.3mm x 11.5mm的小型BGA封装,适用于空间受限的便携式电子设备。

应用

H5GQ1H24BFR-T2CR主要应用于高性能移动设备,如旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高带宽和低功耗存储解决方案的嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗特性,它也非常适合用于图形处理、多任务处理和高性能计算等场景。例如,在智能手机中,该内存芯片可为应用程序运行、图像处理和视频播放提供快速的数据存取支持,从而提升用户体验。在工业和汽车电子应用中,该芯片的宽温范围和高稳定性也使其能够在恶劣环境下稳定运行。

替代型号

H5GQ1H24AFR-T2CF,H5GQ1H24AMR-T2CF,H5GQ1H24BFR-T2CL,H5GQ1H24AMR-T2CR

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