时间：2025/9/2 6:39:05
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H5GQ1H24BFR-T2CR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动式双倍数据速率4（LPDDR4）同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片。这款内存芯片广泛用于移动设备，如智能手机、平板电脑以及需要高带宽和低功耗特性的嵌入式系统。H5GQ1H24BFR-T2CR的封装形式为BGA（球栅阵列封装），具有高密度、高稳定性和良好的散热性能。
容量：8Gb（Gigabit）
数据宽度：16位（x16）
电压：1.1V（核心电压VDD），1.8V（I/O电压VDDQ）
时钟频率：最大可达1600MHz
数据速率：3200Mbps（Megabits per second）
封装类型：BGA
封装尺寸：9.3mm x 11.5mm
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
工作模式：差分时钟（CK_t/CK_c）、数据选通（DQS_t/DQS_c）
数据预取：2n预取架构
数据突发长度：BL=16（突发长度16）
H5GQ1H24BFR-T2CR LPDDR4 SDRAM芯片具有多项先进的性能和设计特性。首先，它采用了1x nm制程技术，提供了更高的存储密度和更低的功耗。该芯片支持高带宽操作，其数据速率达到3200Mbps，能够满足现代高性能移动设备对数据处理速度的需求。
其次，该芯片采用了双通道架构，提高了数据传输效率，同时支持多种低功耗模式（如预充电、自刷新、深度掉电模式），以延长设备的电池续航时间。此外，H5GQ1H24BFR-T2CR具备良好的信号完整性和稳定性，通过差分时钟和数据选通设计，提高了数据传输的可靠性，减少了时序偏差和噪声干扰。
该芯片还支持多种功能，如写入校准（Write Calibration）、读取校准（Read Calibration）和动态ODT（On-Die Termination），从而进一步优化了高速操作下的信号完整性。另外，其封装尺寸为9.3mm x 11.5mm的小型BGA封装，适用于空间受限的便携式电子设备。
H5GQ1H24BFR-T2CR主要应用于高性能移动设备，如旗舰级智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及需要高带宽和低功耗存储解决方案的嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和低功耗特性，它也非常适合用于图形处理、多任务处理和高性能计算等场景。例如，在智能手机中，该内存芯片可为应用程序运行、图像处理和视频播放提供快速的数据存取支持，从而提升用户体验。在工业和汽车电子应用中，该芯片的宽温范围和高稳定性也使其能够在恶劣环境下稳定运行。
H5GQ1H24AFR-T2CF，H5GQ1H24AMR-T2CF，H5GQ1H24BFR-T2CL，H5GQ1H24AMR-T2CR
