容量：8GB
　　类型：3D NAND Flash
　　封装类型：TSOP
　　接口：ONFI 3.0
　　工作电压：1.8V / 3.3V
　　读取速度：约50MB/s
　　写入速度：约30MB/s
　　擦除块大小：128KB
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

H5GQ1H24AFRT2L 是一款高性能、低功耗的3D NAND闪存芯片，采用了先进的堆叠技术，提供更高的存储密度和更稳定的读写性能。其主要特性包括：
　　1. **3D NAND架构**：相较于传统的2D NAND，3D NAND通过垂直堆叠存储单元，提高了存储密度并降低了单位成本，同时在数据读写过程中减少了电荷泄漏，提高了稳定性。
　　2. **低功耗设计**：该芯片在运行和待机状态下均具有较低的功耗，非常适合用于移动设备和便携式电子产品，有助于延长电池寿命。
　　3. **高速读写能力**：支持ONFI 3.0接口协议，具备较高的数据传输速率，能够满足现代智能设备对快速启动和大文件传输的需求。
　　4. **宽电压支持**：兼容1.8V和3.3V两种电压输入，适用于多种应用场景，提高了系统的兼容性和灵活性。
　　5. **高可靠性**：H5GQ1H24AFRT2L 具备良好的耐用性和数据保持能力，能够在复杂的工作环境中稳定运行，适用于工业级和消费级应用。
　　6. **优化的擦除块管理**：每个擦除块大小为128KB，有助于提高存储效率和减少写入放大，延长使用寿命。

H5GQ1H24AFRT2L NAND闪存芯片广泛应用于以下领域：
　　? 智能手机和平板电脑：作为主存储器，用于操作系统、应用程序和用户数据的存储。
　　? 嵌入式系统：在工业控制、医疗设备和智能家电中提供稳定可靠的存储解决方案。
　　? 存储卡和U盘：作为存储介质，提供大容量和高速的数据读写能力。
　　? 物联网设备：用于数据记录和缓存，支持设备的高效运行。
　　? 车载电子系统：如车载导航、信息娱乐系统等，满足车载环境对可靠性和稳定性的要求。

H5GQ1H24AMRT0S
　　H5GQ1G63BFR