H5DU6462CTR 时间：2025/9/2 5:30:30 阅读：6

H5DU6462CTR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于SDRAM（同步动态RAM）类别。这款芯片的容量为64Mbit，工作电压为2.3V至3.6V，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。H5DU6462CTR 采用CMOS技术制造，具备高速数据访问能力，广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等领域。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：x16位
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54-pin
　　最大访问时间：5.4ns
　　最大工作频率：166MHz
　　数据保持电压：2.1V
　　最大待机电流：10mA
　　最大工作电流：180mA

特性

H5DU6462CTR 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。其主要特性包括宽电压范围（2.3V至3.6V），允许在不同电源条件下稳定运行；支持高速访问，最大频率可达166MHz，满足高性能系统对数据处理速度的需求。此外，该芯片的工作温度范围较宽，从-40°C到+85°C，适用于各种工业环境。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为10mA，有效延长了设备的电池寿命。同时，其高速访问时间和低延迟特性使其非常适合需要快速响应的应用，如网络设备、嵌入式系统和工业自动化设备。
　　在封装方面，H5DU6462CTR 使用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有较小的体积和良好的散热性能，便于在高密度PCB设计中使用。此外，该芯片还具备良好的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。