时间：2025/9/1 11:25:26
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H5DU5182ETR-J3I 是一款由SK Hynix（海力士）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的移动存储器系列，通常用于移动设备和嵌入式系统中。这款芯片具备较高的数据传输速率和节能特性，适合需要高性能内存解决方案的设备，如智能手机、平板电脑以及便携式计算设备。
容量：512MB
数据宽度：16位
电压：1.8V
封装类型：FBGA
封装尺寸：93-ball
工作温度：-40°C 至 +85°C
最大频率：166MHz
最大数据速率：333Mbps
时钟频率：166MHz
刷新周期：64ms
H5DU5182ETR-J3I 芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高性能的特性。它支持多种操作模式，包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式，以满足不同应用场景的功耗需求。此外，该芯片支持突发传输模式，允许连续读写操作，提高了数据传输效率。其内部设计包含自动预充电功能，减少了外部控制信号的复杂性，提高了系统的稳定性。
这款DRAM芯片的高集成度设计使其在有限的空间内提供大容量存储，适合高密度电路板设计。其封装形式为93-ball FBGA，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在严苛的环境条件下可靠运行。此外，H5DU5182ETR-J3I 通过了工业级温度范围认证，确保其在不同温度下的稳定性和可靠性。
H5DU5182ETR-J3I 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的嵌入式系统和移动设备中。例如，它可以用于智能手机和平板电脑的主内存，以提供快速的数据访问和处理能力。此外，该芯片也适用于工业控制设备、汽车电子系统、网络设备以及便携式消费电子产品。由于其低功耗特性和宽温度范围，该芯片也适合用于需要长时间稳定运行的物联网设备和边缘计算设备。
H5DU5182AGM-J3C, H5DU5182ETR-B4H
