时间：2025/9/1 14:14:55
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H5DU5162RTR-E3C是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的移动存储解决方案，广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等便携式电子设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，具备较高的存储密度和较快的数据存取速度。
容量：256MB
组织结构：16M x 16
电压：1.8V / 2.5V
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
时钟频率：高达166MHz
数据速率：333Mbps（DDR）
接口类型：Double Data Rate (DDR)
H5DU5162RTR-E3C 是一款 DDR SDRAM 芯片，具有双倍数据速率传输能力，能够在每个时钟周期传输两次数据，显著提高数据带宽。该芯片采用低功耗设计，适合电池供电设备的应用，有助于延长设备的续航时间。其TSOP封装形式具有较小的封装体积和较低的封装高度，非常适合空间受限的便携式设备。此外，它还具备自动刷新、自刷新、突发模式等功能，能够有效降低系统功耗并提升系统稳定性。芯片内部集成了模式寄存器和扩展模式寄存器，用户可以根据实际需求配置不同的工作模式，以适应不同的应用场景。
H5DU5162RTR-E3C 常用于需要高性能内存支持的便携式电子产品中，例如智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、GPS导航设备、工业控制设备等。在嵌入式系统中，它可以作为主存储器（RAM）来运行操作系统和应用程序，为设备提供快速的数据访问能力。由于其低功耗特性，也广泛应用于需要长时间运行和电池供电的物联网（IoT）设备。
H5DU5162GTR-E3C，H5DU2562GTR-E3C，H5DU5162ETR-E3C
