H5DU5162RTR-E3C是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高性能、低功耗的移动存储解决方案,广泛用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等便携式电子设备中。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺,具备较高的存储密度和较快的数据存取速度。
容量:256MB
组织结构:16M x 16
电压:1.8V / 2.5V
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
时钟频率:高达166MHz
数据速率:333Mbps(DDR)
接口类型:Double Data Rate (DDR)
H5DU5162RTR-E3C 是一款 DDR SDRAM 芯片,具有双倍数据速率传输能力,能够在每个时钟周期传输两次数据,显著提高数据带宽。该芯片采用低功耗设计,适合电池供电设备的应用,有助于延长设备的续航时间。其TSOP封装形式具有较小的封装体积和较低的封装高度,非常适合空间受限的便携式设备。此外,它还具备自动刷新、自刷新、突发模式等功能,能够有效降低系统功耗并提升系统稳定性。芯片内部集成了模式寄存器和扩展模式寄存器,用户可以根据实际需求配置不同的工作模式,以适应不同的应用场景。
H5DU5162RTR-E3C 常用于需要高性能内存支持的便携式电子产品中,例如智能手机、平板电脑、数码相机、MP3播放器、GPS导航设备、工业控制设备等。在嵌入式系统中,它可以作为主存储器(RAM)来运行操作系统和应用程序,为设备提供快速的数据访问能力。由于其低功耗特性,也广泛应用于需要长时间运行和电池供电的物联网(IoT)设备。
H5DU5162GTR-E3C,H5DU2562GTR-E3C,H5DU5162ETR-E3C