类型：DRAM
　　容量：256MB
　　数据宽度：16位
　　电源电压：1.7V - 3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　最大时钟频率：166MHz
　　刷新周期：64ms

H5DU5162ETR-E3C 是一款具有高性能和低功耗特性的DRAM芯片。其16位的数据宽度使其适用于需要高速数据处理的系统。该芯片支持多种电压范围（1.7V至3.3V），这使其在不同电源环境下都能稳定工作。TSOP封装设计不仅减少了芯片的物理尺寸，还提高了热稳定性和电气性能。此外，该芯片的低功耗设计非常适合用于电池供电设备，以延长设备的使用时间。
　　该芯片的64ms刷新周期确保了数据在断电情况下仍能保持一定时间的完整性，同时减少了功耗。支持-40°C至+85°C的工作温度范围，使其能够在各种环境条件下稳定运行。最大时钟频率为166MHz，这使得该芯片在处理高速数据时具有优异的表现。
　　H5DU5162ETR-E3C 还具备良好的兼容性，适用于多种嵌入式平台和移动设备。其设计确保了在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行，减少了信号干扰和噪声的影响。这些特性共同构成了H5DU5162ETR-E3C 在移动和嵌入式市场中的竞争力。

H5DU5162ETR-E3C 通常用于需要高性能和低功耗内存解决方案的设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及各种嵌入式系统。由于其低功耗和小尺寸特性，该芯片也广泛应用于需要长时间电池续航和紧凑设计的可穿戴设备中。此外，H5DU5162ETR-E3C 还可用于工业控制系统、汽车电子设备和消费类电子产品，为其提供高效的数据存储和处理能力。

H5DU5162ETR-E3C的替代型号包括H5DU5162GTR-E3C和H5DU2562ETR-E3C。