容量：256MB
　　组织方式：x8/x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　速度等级：-55（55ns访问时间）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54

H5DU2582GTR-J3I DRAM芯片具备多项显著特性，首先其大容量存储能力使其适用于需要高性能数据缓存的系统，如图像处理、网络设备和嵌入式系统等。其次，该芯片支持多种数据宽度配置，包括x8和x16模式，为系统设计提供了灵活性。此外，H5DU2582GTR-J3I的工作电压范围较宽，从2.3V到3.6V之间均可正常运行，这使其兼容多种电源设计，提高了其在不同应用环境下的适应性。
　　在访问速度方面，H5DU2582GTR-J3I的速度等级为-55，表示其访问时间为55ns，属于中高速DRAM芯片，适用于对数据存取速度有一定要求的系统。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，具有较低的封装高度和较好的热稳定性，适合高密度PCB布局。同时，其54引脚的设计使得其在电路板上的连接较为简单，降低了设计复杂度。
　　另外，H5DU2582GTR-J3I具备良好的数据保持能力，在正常工作条件下可维持数据完整性，同时支持异步读写操作，能够满足多种控制逻辑的需求。该芯片符合工业级温度范围（通常为-40°C至+85°C），可在较为恶劣的环境中稳定工作。

H5DU2582GTR-J3I主要应用于需要中等容量高速存储的系统中。常见的应用领域包括工业控制设备、网络路由器和交换机、视频监控系统、医疗设备以及嵌入式系统等。在工业控制领域，该芯片可作为主控单元的缓存，用于临时存储大量数据或程序指令，从而提高系统响应速度和运行效率。在网络设备中，H5DU2582GTR-J3I可以用于缓存路由表、数据包等信息，提升设备的数据处理能力。
　　此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如数码相机、便携式媒体播放器和智能家电等，为这些设备提供临时数据存储功能。在某些需要低功耗、小体积存储解决方案的场合，H5DU2582GTR-J3I也能够胜任。例如，在物联网（IoT）设备中，它可以作为主存储器的辅助缓存，提高系统性能。同时，由于其具备较宽的工作电压范围和良好的温度适应性，因此也适用于户外或车载等复杂环境下的电子产品。

H5DU2562GTR-J3C, H5DU2582GTR-J3E, CY7C1041CV33, IS61LV25616