时间：2025/9/2 5:22:34
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H5DU2582GTR-E3IR 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。这款存储器芯片通常用于需要高速数据访问和较大内存容量的应用场景，如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备等。H5DU2582GTR-E3IR 是一种SDRAM（同步动态随机存取存储器）芯片，具备高速数据传输能力，适用于现代电子设备对内存性能的高要求。
容量：256MB
类型：DRAM
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
接口：SDRAM
电压：2.5V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据速率：166MHz
数据宽度：16位
组织结构：1M x16 x16 banks
刷新周期：64ms
H5DU2582GTR-E3IR 是一款高性能的DRAM芯片，具备多个显著的技术特性。首先，该芯片采用了同步动态随机存取存储器（SDRAM）技术，使其能够在高频率下稳定运行，支持166MHz的数据传输速率，从而提升了整体系统性能。其次，H5DU2582GTR-E3IR 的存储容量为256MB，采用1M x16 x16 banks的组织结构，能够满足对内存容量有一定要求的应用场景。
该芯片采用2.5V的工作电压，相较于早期的5V或3.3V SDRAM产品，功耗更低，有助于提高系统的能效比。此外，它具备标准的16位数据宽度，能够与多种控制器和处理器兼容，提高了设计的灵活性。
在封装方面，H5DU2582GTR-E3IR 采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。该芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，延长数据保持时间。
其工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品等多种应用场景。
H5DU2582GTR-E3IR 被广泛应用于需要中等容量高速内存的电子设备中。例如，在工业控制领域，该芯片可以作为主控模块的临时数据存储器，用于缓存实时采集的数据或运行程序所需的变量信息。在通信设备中，H5DU2582GTR-E3IR 可以作为路由器、交换机或基站设备的缓存存储器，用于提高数据包的处理效率。
此外，该芯片也常用于嵌入式系统，如智能家电、医疗设备、POS机等，提供稳定可靠的内存支持。在某些消费类电子产品中，例如数字电视、机顶盒或多媒体播放器中，H5DU2582GTR-E3IR 也被用于临时存储视频、音频数据或操作系统运行时的缓存数据。
由于其具备较高的数据传输速率和良好的环境适应性，H5DU2582GTR-E3IR 也适用于需要长时间运行且对稳定性要求较高的设备，如安防监控系统、自动化测试设备等。
H5DU2562GTR-E3IR, H5DU5182GTR-E3CR, H5DU2582GTR-EBC
