H5DU2562GTR-J3J是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高性能计算和存储应用而设计。这款内存芯片采用先进的DRAM技术,具备较高的数据传输速率和较低的功耗,适用于各种需要快速数据访问的设备,如个人电脑、服务器、图形处理单元(GPU)和其他嵌入式系统。
容量:512MB
类型:DDR3 SDRAM
数据速率:1600Mbps
工作电压:1.35V - 1.5V
封装类型:BGA
引脚数:54pin
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
刷新周期:64ms
H5DU2562GTR-J3J是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片,具备低电压和低功耗的设计,非常适合节能型设备使用。其工作电压范围为1.35V至1.5V,能够在保证性能的同时降低能耗。此外,该芯片的封装形式为BGA(球栅阵列),这种封装方式提供了良好的电气性能和散热性能,适合高密度电路板设计。
该芯片支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电情况下也能保持一定时间的完整性。其64ms的刷新周期能够有效防止数据丢失,同时降低系统功耗。H5DU2562GTR-J3J还具备良好的兼容性,能够与多种内存控制器和处理器无缝连接,广泛应用于计算机系统、嵌入式设备和工业控制系统中。
此外,该芯片的封装尺寸较小,适合在空间受限的设备中使用,并且具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。H5DU2562GTR-J3J的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于各种严苛环境条件。
H5DU2562GTR-J3J广泛应用于需要高速存储和低功耗的电子设备中,包括个人计算机、服务器、图形处理单元(GPU)、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品。其低电压设计使其在移动设备中尤为适用,例如笔记本电脑、平板电脑和智能电视。
H5TQ2562GTR-J3C, H5DU5122GTR-J3J