容量：16Gb（256MB x 64）
　　内存类型：GDDR6
　　数据速率：12Gbps
　　电压：1.35V（VDD）/ 0.5V（VDDQ）
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：88
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　组织结构：x64
　　时钟频率：6Gbps
　　接口：差分时钟（ differential clock ）
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：8mm x 14mm
　　JEDEC标准兼容性：符合

H5DU1262GTR-J3I 的一大特点在于其高达12Gbps的数据传输速率，这使得该芯片能够满足对带宽要求极高的应用场景，例如高端显卡、AI加速器和高速数据处理系统。该芯片采用先进的工艺制造，支持更低的电压操作，有助于降低功耗和提高能效。其差分时钟设计确保了高速操作下的信号完整性，减少了时钟抖动，提高了数据传输的可靠性。
　　此外，该DRAM芯片支持多Bank操作，包括Bank Group架构，允许并发执行多个操作，从而提升整体性能。它还支持预取机制、突发长度可编程、延迟锁定回路（DLL）等功能，进一步增强了其灵活性和适应性。
　　在散热方面，H5DU1262GTR-J3I采用FBGA封装技术，提供了良好的热管理性能，能够在高负载运行时保持稳定的工作温度。这种封装形式也使得芯片更容易集成到高密度PCB布局中，适用于现代高性能系统的紧凑设计。
　　为了确保长期运行的稳定性，该芯片还具备强大的错误检测和校正能力，包括自动刷新和自刷新功能，能够在系统进入低功耗模式时保持数据完整性。这使得H5DU1262GTR-J3I非常适合用于服务器、网络设备和嵌入式系统等需要高可靠性的应用场合。

H5DU1262GTR-J3I 广泛应用于需要高性能存储解决方案的设备中，如高端显卡、AI加速卡、游戏主机、服务器内存模块、网络交换设备、高性能计算平台（HPC）、图像处理系统以及需要大带宽存储的嵌入式系统。此外，它也常用于测试设备和工业自动化系统中，提供高速数据缓存和临时存储功能。

H5DU1262GTR-J3A, H5DU1262GTR-J3M, H5DU1262GTR-J3E