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H5DU1262GTR-J3CR 发布时间 时间:2025/9/1 17:44:14 查看 阅读:9

H5DU1262GTR-J3CR 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片采用先进的制造工艺,具有高性能和低功耗的特点,广泛应用于计算机、服务器、网络设备和其他需要高速存储器的电子系统中。H5DU1262GTR-J3CR的封装形式和电气特性使其适用于多种应用场景,并提供了可靠的存储解决方案。

参数

容量:128MB
  组织方式:16M x 8
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns(最大)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5DU1262GTR-J3CR是一款高速DRAM存储器芯片,具有低功耗和高可靠性的特点。其128MB的容量和16M x 8的组织方式,使其适用于需要中等容量高速存储的应用场景。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,使其在不同的电源条件下都能稳定工作。5.4ns的访问时间确保了快速的数据存取能力,提高了系统的整体性能。
  此外,H5DU1262GTR-J3CR采用了TSOP(薄型小外形封装)技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的电子设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级应用。
  该芯片还具备良好的抗干扰能力和数据保持能力,在高噪声环境中也能保持数据的完整性。其电气特性和时序参数经过优化,能够与多种控制器和处理器无缝配合,简化了系统设计并提高了兼容性。

应用

H5DU1262GTR-J3CR主要用于需要高速存储的电子设备,如嵌入式系统、工业控制设备、网络路由器和交换机、测试设备以及消费类电子产品。其高速访问时间和低功耗特性使其成为需要快速数据处理和存储的应用的理想选择。在计算机系统中,该芯片可作为缓存存储器或辅助存储器,用于提升系统的响应速度和运行效率。

替代型号

H5DU1262GTR-J3C, H5DU1262GTR-J3A, CY62148G30FFSB}

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