时间：2025/9/1 18:15:21
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H5DU1262GTR-FAC 是由SK hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款存储器模块通常被设计用于高性能计算设备，例如个人电脑、服务器和工作站，以提供快速的数据存储和访问能力。它属于DDR4 SDRAM（双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）类别，具备高速度、低功耗和高密度的特点。H5DU1262GTR-FAC 的命名中，“H5D”代表了Hynix DRAM芯片系列，“U126”指代特定的产品系列，“2GTR”表示存储容量为2GB，而“-FAC”则可能涉及封装、时钟频率或其他特定特性。
容量：2GB
类型：DRAM
技术：DDR4
封装：根据具体规格，可能为TSOP或FBGA
电压：1.2V
频率：1600MHz - 3200MHz
数据速率：PC4-19200至PC4-25600
时序：CL16至CL18
工作温度：0°C至85°C
H5DU1262GTR-FAC 是一款DDR4 SDRAM芯片，具备多种先进的性能特性。DDR4技术相比前代DDR3在功耗、速度和存储密度方面都有显著提升。这款芯片运行电压为1.2V，比DDR3的1.5V更低，从而降低了能耗并提高了能效。其支持的数据速率范围较广，可以达到PC4-19200至PC4-25600，适用于需要高速数据处理的应用场景。
该芯片的时序（CL值）在CL16到CL18之间，这意味着它在数据访问延迟方面具有较好的性能表现，适合用于对延迟敏感的应用。H5DU1262GTR-FAC 的容量为2GB，虽然在现代高性能系统中单条容量可能显得较小，但在某些特定的应用或嵌入式系统中，这种容量仍然是合适的。
此外，该芯片的工作温度范围为0°C至85°C，使其能够在较为广泛的环境条件下稳定运行。这一特性对于工业级或嵌入式应用尤为重要，因为它确保了在不同温度环境下的可靠性和稳定性。H5DU1262GTR-FAC 还支持自动刷新、自刷新、预充电等常见DRAM功能，以确保数据完整性并降低功耗。
H5DU1262GTR-FAC 通常用于需要高性能内存的设备中，如台式机、笔记本电脑、工作站以及某些服务器应用。它也可以用于嵌入式系统或工业设备中，尤其是那些对内存性能有一定要求但又不需要超大容量的场景。此外，该芯片可能被用于网络设备、图形处理单元（GPU）缓存或高端消费类电子产品中。
H5DU1262GTR-FAC 可以考虑的替代型号包括其他厂商的2GB DDR4 SDRAM芯片，如Samsung的K4AAG085WF-BCRC或Micron的MT48LC16M16A2B4-6A。
