时间：2025/9/1 15:28:28
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H5ANAG6NDMR-VKC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的NAND闪存芯片。这款NAND闪存芯片采用了先进的制造工艺，具备较高的存储密度和较低的功耗，适用于需要大容量存储和高性能读写速度的电子设备，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、存储卡以及高端消费类电子产品。
类型：NAND闪存
容量：128Gb
封装类型：TSOP
接口：ONFI 4.0
工作电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
H5ANAG6NDMR-VKC 具备出色的存储性能和稳定性，采用了先进的ONFI 4.0接口标准，支持高速数据传输速率，显著提升了读写效率。其128Gb的存储容量使其适用于需要大容量存储的设备，同时具备较低的功耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。
此外，这款NAND闪存芯片采用了高质量的制造工艺，具备良好的耐用性和数据保持能力，能够在各种严苛的环境条件下稳定运行。其TSOP封装形式有助于提高芯片在PCB上的安装稳定性和散热性能，适用于工业级和消费级应用场景。
为了确保数据的安全性和可靠性，H5ANAG6NDMR-VKC 还支持多种错误校正和管理技术，如ECC（错误校正码）和坏块管理，能够有效提升数据的完整性和存储的可靠性。
该芯片广泛应用于固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、工业计算机、高端智能手机、平板电脑、数码相机、USB闪存盘以及其他需要高容量、高性能存储的电子设备。由于其优异的性能和可靠性，也适用于工业自动化、汽车电子、医疗设备等对存储要求较高的专业领域。
TC58NVG2S0HRAIJ, K9WAG08U1M, MT29F1G08ABBDA
