容量：4GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　电压：1.5V
　　频率：1600MHz
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：0°C至85°C

H5ANAG4NMMR-RD 作为一款高性能DRAM芯片，具有多项显著的技术特性。首先，它具备较高的存储容量，单颗芯片可提供4GB的存储空间，适用于需要大量内存资源的应用场景。其次，该芯片的工作频率为1600MHz，能够实现高速数据存取，满足对性能要求较高的系统需求。此外，该芯片采用低电压设计，工作电压为1.5V，有助于降低功耗和发热，提高整体系统的能效比。
　　封装方面，H5ANAG4NMMR-RD 采用BGA（Ball Grid Array）封装技术，这种封装方式具有良好的电气性能和散热性能，同时减少了芯片在PCB上的占用空间，适合高密度PCB布局设计。该芯片的工作温度范围为0°C至85°C，具备良好的环境适应性，能够在多种工业环境下稳定运行。
　　为了确保数据的完整性与稳定性，H5ANAG4NMMR-RD 支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据的存储状态，从而延长数据保持时间，降低系统功耗。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，适用于对能效要求较高的嵌入式系统和便携式设备。

H5ANAG4NMMR-RD 主要应用于需要高性能内存支持的各类电子设备。其中包括个人计算机、工作站、服务器、图形显卡、嵌入式系统、工业控制设备以及高端消费电子产品。在服务器和工作站中，该芯片可用于构建大容量、高性能的内存系统，提升系统运行效率和多任务处理能力。在图形显卡中，H5ANAG4NMMR-RD 可作为显存使用，提高图形渲染速度和显示效果。此外，在工业控制和嵌入式系统中，该芯片的高稳定性和宽温工作范围使其能够在恶劣环境下可靠运行。

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